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公开(公告)号：CN119710402A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411890623.0
申请日：2024-12-20
Applicant: 昆明理工大学 , 中铝铝箔(云南)有限公司
Inventor： 陈秀敏 , 刘威 , 周杰 , 张恩浩 , 吴华鹏 , 贾瑞娇 , 康吉昌 , 刘鹏举 , 辜良亮 , 陈媛媛 , 吴康明 , 杜巧圆 , 冯岩 , 孙荣刚 , 王采青 , 李林飞
Abstract: 本发明公开了一种纳米硼复合镁基储氢材料及其制备方法，属于新能源材料制备开发技术领域。本发明的纳米硼复合镁基储氢材料中，按质量分数计，包括：硼：1‑30％，余量为镁，在熔炼过程硼原子聚集成硼纳米结构(纳米管、纳米片、纳米角、纳米球)，并部分嵌入镁中，增强氢与镁的扩散。本发明通过纳米硼结构(纳米管、纳米片、纳米角、纳米球)为镁基储氢材料在吸氢和放氢过程中提供了中间介质，有效优化镁基储氢材料储氢条件。
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公开(公告)号：CN119660787A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411891703.8
申请日：2024-12-20
Applicant: 昆明理工大学
Inventor： 陈秀敏 , 周杰 , 陈媛媛 , 刘威 , 辜良亮 , 吴康明 , 张恩浩 , 吴华鹏 , 余镕 , 郑德茜 , 刘丽 , 付兴龙 , 杜巧圆 , 冯岩 , 孙荣刚 , 王采青 , 李林飞
Abstract: 本发明公开了一种粗四氯化钛中杂质钒的去除方法，属于精制四氯化钛技术领域。本发明用电化学法制备得到了一种纳米级TiH2，具体为：以活泼金属的氢化物为阳极电极，石墨为阴极电极，阴极和阳极中间放置阴离子交换膜，在阳极电极处加入无水有机溶剂和活泼金属的氯化物；在阴极电极处通入H2并加入TiCl4和表面活性剂，最后在阴极电极上得到纳米级TiH2，本发明制备得到的纳米级TiH2具有强还原能力，因此可用于除去粗四氯化钛中的钒杂质。本发明提供了一种制备纳米级TiH2和除去粗四氯化钛中杂质钒的新方法。
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公开(公告)号：CN119503867A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411648742.5
申请日：2024-11-19
Applicant: 昆明理工大学
Inventor： 陈秀敏 , 周杰 , 刘威 , 张恩浩 , 吴华鹏 , 刘丽 , 许文杰 , 辜良亮 , 陈媛媛 , 吴康明 , 杜巧圆 , 孙荣刚 , 冯岩 , 杨斌 , 徐宝强 , 蒋文龙 , 刘大春 , 曲涛 , 孔令鑫 , 王飞
IPC: C01G23/02 , B01J27/122 , B01J27/128
Abstract: 本发明涉及一种粗四氯化钛用协同催化剂的除钒方法，属于有机物精制四氯化钛技术领域。将有机物与粗四氯化钛在常温下混合搅拌得到混合液；向混合液中加入协同催化剂，升温至100～130℃，搅拌1～4h进行充分反应；其中协同催化剂为氧化物载体、金属氯化物络合剂和活泼金属组成；继续升温至140～160℃蒸馏四氯化钛，得到精四氯化钛和易处理的残渣。本发明通过优化有机物的选择和添加协同催化剂，可以减少团聚的含碳小分子的生成，降低海绵钛中的碳含量，从而提高海绵钛的刚性和生产品质。
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公开(公告)号：CN119683641A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411896415.1
申请日：2024-12-20
Applicant: 昆明理工大学 , 中铝铝箔(云南)有限公司
Inventor： 陈秀敏 , 刘威 , 周杰 , 张恩浩 , 吴华鹏 , 贾瑞娇 , 康吉昌 , 刘鹏举 , 辜良亮 , 陈媛媛 , 吴康明 , 杜巧圆 , 冯岩 , 孙荣刚 , 王采青 , 李林飞
Abstract: 本发明公开一种硼纳米材料的制备方法，涉及冶金化工技术领域。本发明所述方法使用铝硼、铝钛中间合金以及纯铝，在熔炼炉中经高温熔炼反应后，可在合金体系中通过酸浸法得到硼纳米材料；本发明所采用的原材料为工业中常用的铝硼、铝钛中间合金及纯铝，廉价易得；所合成的硼纳米材料纯度高、形貌规范，有管状、片状、笼状和角状等多种形式；且制备方法无毒、可批量工业生产；硼纳米材料因其独特的物理和化学性质，在增强复合材料、热管理、辐射屏蔽、生物医学、能量存储、高温结构材料和光学应用等多个领域展现出广泛的应用潜力。
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公开(公告)号：CN119038595A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411225588.0
申请日：2024-09-03
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开了一种真空法从氧化铟锡废靶中分离氧化铟和氧化锡的方法，涉及资源回收利用技术领域，包括：取氧化铟锡废靶原料，向所述氧化铟锡废靶原料中加入铟后，于真空条件下进行加热并保温；待保温结束后，铟的低价氧化物挥发进入挥发物中，获得氧化铟；氧化锡残留在冷凝物中，获得氧化锡。本发明依据氧化铟在铟熔体中加热下可生成易挥发的低价氧化物（In2O），生成的低价氧化物可挥发至冷凝区域冷凝，从而实现氧化铟和氧化锡的分离，实现了氧化铟锡废靶材料的资源回收利用。
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