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公开(公告)号：CN112962119A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110060460.3
申请日：2021-01-19
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开一种有色金属电积用复合电极板及其制备方法，属于电极材料制备和湿法冶金技术领域，本发明以质量轻、导电好、价格低的纯Al或其合金作为电极的内芯结构，表面包覆耐蚀强、具有一定催化活性的TiB2+Ti4O7陶瓷中间过渡层，以保护Al基内芯，再在其表面采用电沉积工艺制备高活性且廉价的PbO2+MnO2复合活性催化层；本发明的电极板具有导电好、耐蚀强、成本低、材料表面电流分布均匀，电沉积产品纯度高等优点，其使用方法和外形尺寸完全满足传统电极的工况要求，可用作有色金属电积用新型电极板。
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公开(公告)号：CN112195435A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202011094439.7
申请日：2020-10-14
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开一种类核壳结构Al@(TiB2+Ti4O7)‑PbO2阳极板及其制备方法，属于湿法冶金和电化学冶金技术领域。本发明所述Al@(TiB2+Ti4O7)‑PbO2阳极板主要包括Al金属板载体，TiB2+Ti4O7陶瓷中间过渡层和PbO2活性催化层。本发明所述方法，首先制备TiB2+Ti4O7混合陶瓷粉末；然后在经表面粗化刻蚀后的Al板上先预喷涂NiAl系打底层，紧接着喷涂TiB2+Ti4O7陶瓷中间过渡层，以制备Al@(TiB2+Ti4O7)类核壳结构电极基体；最后采用电沉积法，在其表面电沉积PbO2活性催化层。本发明所制备的阳极板具有催化活性高、成本低廉、使用寿命长、适应性广等优点。
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公开(公告)号：CN102392140B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201110328967.9
申请日：2011-10-26
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C30B29/52
Abstract: 本发明是一种采用定向凝固去除硅锗合金中金属杂质的方法。以含有Ca、Fe、Al等金属杂质的硅锗合金为原料，在常压条件和惰性气体保护下，将原料熔化后在温度为1400～1700℃条件下保温10～90分钟。然后将熔融物进行定向凝固精炼，凝固速率为2μm/s～90μm/s，金属杂质在熔体冷凝过程中随晶体生长富集在锭子的头尾部分，将所得的锭子截去头尾部分即获得高纯度的硅锗合金产品。该过程Ca、Fe、Al等杂质的去除率可达95%以上，本发明是一种工艺流程短、成本低、环境污染少的硅锗合金提纯方法，满足其在工业生产、军事、通信领域对合金材料要求，并可实现二次资源的再生利用。
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公开(公告)号：CN102392140A
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201110328967.9
申请日：2011-10-26
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C22B9/00
Abstract: 本发明是一种采用定向凝固去除硅锗合金中金属杂质的方法。以含有Ca、Fe、Al等金属杂质的硅锗合金为原料，在常压条件和惰性气体保护下，将原料熔化后在温度为1400～1700℃条件下保温10～90分钟。然后将熔融物进行定向凝固精炼，凝固速率为2μm/s～90μm/s，金属杂质在熔体冷凝过程中随晶体生长富集在锭子的头尾部分，将所得的锭子截去头尾部分即获得高纯度的硅锗合金产品。该过程Ca、Fe、Al等杂质的去除率可达95%以上，本发明是一种工艺流程短、成本低、环境污染少的硅锗合金提纯方法，满足其在工业生产、军事、通信领域对合金材料要求，并可实现二次资源的再生利用。
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公开(公告)号：CN203741454U
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201420027401.1
申请日：2014-01-17
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本实用新型涉及一种多晶硅铸锭过程中二次加料装置，属于光伏行业中多晶硅铸锭生产技术领域。该多晶硅铸锭过程中二次加料装置，包括装料筒总成、进出气系统总成、加热设备和下料系统总成，进出气系统总成安装在装料筒总成两侧，加热设备为装料筒总成底部锥形区域加热，下料系统连接装料筒总成底部。该多晶硅铸锭过程中二次加料装置既能提高多晶硅铸锭炉的单次产能，又能提高坩埚的利用率，增加下料管的使用寿命，降低多晶硅生产成本。
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