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公开(公告)号：CN114592236B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202210254705.0
申请日：2022-03-15
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明涉及一种P型掺镓硅单晶的生长方法，属于直拉单晶硅技术领域。本发明采用直拉法进行硅单晶的生长，长晶方法依次包括加料、熔料、引晶、缩颈、放肩、转肩、等径生长和收尾阶段，其中收尾阶段采用晶体只旋转不拉伸，坩埚下降的收尾方式；每七个单晶硅棒为一组，每组的第1～6个单晶硅棒生长方法中加料时，添加掺杂剂固态镓；每组的第7个单晶硅棒生长方法中加料时，不添加掺杂剂镓。本发明通过控制加料阶段掺杂浓度及拉晶工艺参数来控制晶体的电阻率，收尾段采用锅降方式降低晶体长生位错、断胞的可能性，提升晶体质量；能够连续生长得到整棒电阻率范围窄(0.4～1.25Ω·cm)、氧杂质浓度低(＜14ppm)、碳杂质浓度低(＜1ppm)、少子寿命长(＞140μs)的A级优质单晶硅棒。
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公开(公告)号：CN114592236A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210254705.0
申请日：2022-03-15
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明涉及一种P型掺镓硅单晶的生长方法，属于直拉单晶硅技术领域。本发明采用直拉法进行硅单晶的生长，长晶方法依次包括加料、熔料、引晶、缩颈、放肩、转肩、等径生长和收尾阶段，其中收尾阶段采用晶体只旋转不拉伸，坩埚下降的收尾方式；每七个单晶硅棒为一组，每组的第1～6个单晶硅棒生长方法中加料时，添加掺杂剂固态镓；每组的第7个单晶硅棒生长方法中加料时，不添加掺杂剂镓。本发明通过控制加料阶段掺杂浓度及拉晶工艺参数来控制晶体的电阻率，收尾段采用锅降方式降低晶体长生位错、断胞的可能性，提升晶体质量；能够连续生长得到整棒电阻率范围窄(0.4～1.25Ω·cm)、氧杂质浓度低(＜14ppm)、碳杂质浓度低(＜1ppm)、少子寿命长(＞140μs)的A级优质单晶硅棒。
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公开(公告)号：CN107527523A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201710847010.2
申请日：2017-09-19
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明涉及一种单行道道路会车智能提醒装置及其控制方法，属于交通控制技术领域。在路面错车道前后道路两端一定距离处设置传感器和警示牌及测速装置，警示牌上装有电驱动声光报警器，传感器通过信号线将对应信号放大及电子开关电路连接到声光报警器，测速装置测出车通过传感器时的速度来计算车辆通过错车道的时间，并在警示牌上显示出来，该错车道前后道路两端设置本发明能产生声、光的提示，能很好地解决单行道特别是山区狭窄单行道的交通事故问题，且装置结构设计简单，通过太阳能装置作为供电设备，节约能源，成本较低。
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公开(公告)号：CN220564773U
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202320997057.8
申请日：2023-04-27
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本实用新型公开了一种用于大尺寸单晶硅棒的导流筒，包括外筒和内筒，所述外筒和内筒均为顶部直径大、底部直径小的中空圆台状结构，所述内筒圆周外壁紧贴外筒的圆周内壁，所述内筒内均匀分布有一组圆弧形片状结构的气道，所述内筒的顶部设置有竖直段，所述竖直段中均匀分布有一组圆形的气孔，所述气孔下端与气道上端相连，所述气孔上端连接有送气管。本实用新型创造性设计了气体流通气路，使氩气对单晶硅棒的冷却均匀，及时带走自由液面上各点长生的挥发物，有效提升大尺寸单晶硅棒生成质量；导流筒使用特殊材料硅酸铝纤维和金属钼可有效降低炉内热量流失，节能保温，使用寿命长；导流筒整体结构清晰易懂，易于装配且装配精度高，值得推广。
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公开(公告)号：CN207199104U
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201721200828.7
申请日：2017-09-19
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本实用新型涉及一种单行道道路会车智能提醒装置，属于交通控制技术领域。在路面错车道前后道路两端一定距离处设置传感器和警示牌及测速装置，警示牌上装有电驱动声光报警器，传感器通过信号线将对应信号放大及电子开关电路连接到声光报警器，测速装置测出车通过传感器时的速度来计算车辆通过错车道的时间，并在警示牌上显示出来，该错车道前后道路两端设置本实用新型能产生声、光的提示，能很好地解决单行道特别是山区狭窄单行道的交通事故问题，且装置结构设计简单，通过太阳能装置作为供电设备，节约能源，成本较低。
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