公开(公告)号：CN118083986A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202410140953.1

申请日：2024-02-01

Applicant: 昆明理工大学

Inventor： 侯彦青 ,  袁兴平 ,  马文会 ,  赵丹 ,  郭李杰 ,  张旗 ,  吕庆辉

IPC: C01B33/035

Abstract: 本发明提供了一种通过抑制硼沉积量制备电子级多晶硅的方法，包含下列步骤：(1)将三氯氢硅和氢气的混合气体通入西门子反应器中；(2)升高硅棒表面温度，使硅在硅棒表面进行化学气相沉积；(3)硼及剩余硅通过氢气带出后冷却并返回精馏，回收硼与硅，氢气返回反应器。本发明对现行的改良西门子法生产多晶硅工艺进行了调整，通过控制气相化学沉积条件来控制硅和硼的沉积速率，达到对多晶硅中硼含量的控制，可生产不同规格的多晶硅。本发明工艺简单、操作简便，为改良西门子法除硼提供了一种新的途径，可生产符合电子级要求的多晶硅。本发明对工艺流程和设备没变化要求，工艺适用性强，实用性广。

公开(公告)号：CN118047381A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202410163680.2

申请日：2024-02-05

Applicant: 昆明理工大学

Inventor： 侯彦青 ,  袁兴平 ,  廖华 ,  赵丹 ,  陈凤阳 ,  郭李杰 ,  吕庆辉 ,  张旗

IPC: C01B33/035

Abstract: 本发明涉及电子级多晶硅生产制备技术领域，公开一种降低电子级多晶硅中杂质硼含量的方法，该方法包括：加热硅棒的同时通入气相，所述气相包括H2和含有痕量BC l3杂质的Si HCl3；当通入含有痕量BC l3杂质的SiHC l3时，控制所述气相升温至400‑600℃；当气相温度升高至设定温度时加快硅棒升温速率，将还原炉温度升高至950‑1200℃，并维持硅棒表面所述气相温度为950‑1200℃；通入含有痕量BC l3杂质的SiHC l3时间为100‑105h，总生产时间为110‑120h，全程通入H2。该方法通过三个阶段的温度控制和气体流量控制，实现了对多晶硅生产过程的精确控制，避免了硼杂质的过度引入，同时优化了还原炉的能耗和生产效率。

公开(公告)号：CN120024901A

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202510209164.3

申请日：2025-02-25

Applicant: 昆明理工大学

Inventor： 侯彦青 ,  郭李杰 ,  袁兴平 ,  赵丹 ,  吕庆辉

IPC: C01B33/035 ,  C01B33/107 ,  B01J23/656

Abstract: 本发明属于电子级多晶硅生产技术领域，具体地说，是一种在还原工艺降低电子级多晶硅中碳元素含量的方法，所述方法包括纳米多孔钯的制备、催化剂的制备、三氯氢硅的纯化和多晶硅的制备。本发明通过制备出活性好、反应效率高的催化剂，实现对三氯氢硅中甲基二氯硅烷的最大限量的转化和去除，从而实现降低多晶硅中的碳含量，其中去除率大于98.5%；并且，本发明通过控制原料配比、反应的温度、压力等条件，制备的电子级多晶硅碳元素含量低，满足半导体行业对电子级多晶硅品质的高要求。