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公开(公告)号：CN119876681A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510082471.X
申请日：2025-01-20
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开一种高强高导AuNiCu合金及其制备方法。AuNiCu合金的制备过程主要包括合金预处理(熔炼、铸造、退火、清洗)与液氮低温冷轧两个步骤；AuNiCu合金通过压下量为15％‑30％的液氮低温冷轧后形成薄片层状的纳米孪晶结构，纳米孪晶体积含量在7.3％‑32.8％的范围，AuNiCu合金抗拉强度为372‑585MPa，导电率为11.8％‑27.5％IACS。通过液氮低温冷轧处理，增加位错密度和局部应力，驱动纳米孪晶的形核和生长，纳米孪晶界能阻碍位错移动且对电子散射作用更小，从而增强合金的强度和导电性；本发明基于液氮低温冷轧处理所获得的AuNiCu合金，兼具高强度和高导电率的特性，能满足贵金属基电接触等技术领域的应用需求。
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