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公开(公告)号：CN113627036A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202111080423.5
申请日：2021-09-15
Applicant: 昆明理工大学
IPC: G06F30/20 , G06K9/62 , G06F111/08 , G06F113/26
Abstract: 本发明实施例公开了一种材料介电常数预测方法、装置、计算机设备及存储介质。所述方法包括获取待预测的低温共烧陶瓷材料的配方，以得到待预测材料；将所述待预测材料输入至预测模型内进行介电常数预测，以得到预测结果；其中，预测模型是通过已知介电常数的低温共烧陶瓷材料作为样本集训练随机森林模型所得的。本发明实施例通过提取已公开的多种体系的低温共烧陶瓷材料配方的数据集，通过原材料的介电常数、体积百分比、密度三个参数，训练基于随机森林算法的机器学习模型，通过训练后的预测模型对待测的低温共烧陶瓷材料的配方进行介电常数的预测，提高了预测的准确率以及泛化效果，缩短了新材料的开发周期和成本。
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公开(公告)号：CN109286586A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201811121701.5
申请日：2018-09-26
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明涉及一种衰减均衡器及应用，属于电子技术领域。本发明输入端、输出端、吸收衰减单元、频率选择单元；输入端连接吸收衰减单元和频率选择单元一端，吸收衰减单元和频率选择单元另一端连接输出端；其中吸收衰减单元采用电阻、变阻器或其两者的组合来构建，频率选择单元采用电感电容串联、电感电容并联或其两者的组合来构建。本发明均衡器具有平衡带内纹波，减小信号畸变的功能，满足特定通信系统要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN205725677U
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201620364068.2
申请日：2016-04-27
Applicant: 昆明理工大学
IPC: H03H7/01
Abstract: 本实用新型涉及一种IPD带通滤波器，属于电子技术领域。本实用新型包括两层基板和一层集成LC带通滤波器；所述的两层基板是半导体硅基板；集成LC带通滤波器通过光刻、金属沉积、干法刻蚀、高温氧化刻蚀在第一层硅基板上，其中集成LC带通滤波器的电感和电容之间通过引线孔光刻技术实现连接；利用通孔和PCB载板接合封装，封装方式为芯片连接端通过TSV硅通孔技术形成通路。本实用新型具有高性价比、小尺寸、低插入损耗、选频性能好、温度稳定性好等优点。
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公开(公告)号：CN209119290U
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201821448346.8
申请日：2018-09-05
Applicant: 昆明理工大学
IPC: H01P3/08
Abstract: 本实用新型涉及一种低损耗微带线结构，属于电子技术领域。本实用新型包括一层微带线金属层、一层金属粘附层、一层衬底基板和一层金属接地层；金属接地层电镀在衬底基板下表面；金属粘附层通过半导体薄膜工艺制备在衬底基板上；微带线金属层通过半导体薄膜工艺制备在部分衬底基板上及整个金属粘附层上；其中，金属粘附层的沉积面积小于微带线金属层的面积。本实用新型具有低损耗、结构简单、附着性能稳定、易于集成、性价比高、温度特性好等优点。
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公开(公告)号：CN209120220U
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201821569316.2
申请日：2018-09-26
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本实用新型涉及一种衰减均衡器，属于电子技术领域。本实用新型输入端、输出端、吸收衰减单元、频率选择单元；输入端连接吸收衰减单元和频率选择单元一端，吸收衰减单元和频率选择单元另一端连接输出端；其中吸收衰减单元采用电阻、变阻器或其两者的组合来构建，频率选择单元采用电感电容串联、电感电容并联或其两者的组合来构建。本实用新型均衡器具有平衡带内纹波，减小信号畸变的功能，满足特定通信系统要求。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN205723920U
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201620364058.9
申请日：2016-04-27
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本实用新型涉及一种带滤波功能的WIFI天线，属于电子技术领域。本实用新型包括LTCC陶瓷层、金属导体层；其中，金属导体层在LTCC陶瓷层的内部；金属导体层包括带通滤波器、天线辐射贴片、输入端、端口地；所述输入端与带通滤波器连接，带通滤波器的输出端与天线辐射贴片连接，带通滤波器通过电感L3与端口地相连接。本实用新型具有造价低、小尺寸、低插入损耗、温度稳定性好等特点，并且可加工成贴片形式，便于与其他微波组件集成，性价比高，适合批量生产。
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公开(公告)号：CN205647456U
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201620364065.9
申请日：2016-04-27
Applicant: 昆明理工大学
IPC: H03H5/00
Abstract: 本实用新型涉及一种IPD低通滤波器，属于电子技术领域。本实用新型包括两层基板和一层集成LC低通滤波器；所述的两层基板是半导体硅基板；集成LC低通滤波器通过光刻、金属沉积、干法刻蚀、高温氧化刻蚀在第一层硅基板上，其中集成LC低通滤波器的电感和电容之间通过引线孔光刻方式实现连接；利用通孔和PCB载板接合封装，封装方式为芯片连接端通过TSV硅通孔方式形成通路。本实用新型具有高性价比、小尺寸、低插入损耗、选频性能好、温度稳定性好等优点。
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