公开(公告)号：CN119465188A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411703588.7

申请日：2024-11-26

Applicant: 昆明理工大学

Inventor： 刘昊博 ,  席风硕 ,  李绍元 ,  马文会 ,  魏奎先 ,  乔桐皆 ,  王良太 ,  陆继军 ,  于洁 ,  李秀凤 ,  童仲秋

IPC: C25B1/33 ,  C25B1/50 ,  C25B1/01 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及一种镍原位催化硅废料无模版制备硅纳米线的熔盐电化学方法，属于材料制备技术领域。本发明将粘接剂凝胶体与硅废料研磨混匀得到硅废料‑凝胶混合物，硅废料‑凝胶混合物烧结成粘结硅料；粘结硅料与镍催化剂和造孔剂制备出电解前驱体；以电解前驱体为还原阴极，惰性电极为阳极，熔盐电解液添加有过氧化物添加剂，在温度700～900℃下，以高频脉冲电流、低占空比熔盐电解5～25min，然后以中频脉冲电流、中占空比熔盐电解40～120min，再以低频脉冲电流、高占空比熔盐电解80～200min；电解结束后，取出阴极产物，冷却至室温，再依次经超声处理、水洗、浸泡酸洗、烘干得到硅纳米线，硅纳米线生长端团聚包覆形成纳米NiSi2合金膜，可提升硅纳米线的机械应力。