公开(公告)号：CN107078458B

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN201580056314.6

申请日：2015-09-15

Applicant: 昂科公司

Inventor： 亨利·A·布劳维尔特 ,  晓光·何 ,  凯利·沃何拉

IPC: H01S5/026 ,  H01S5/042

Abstract: 一种半导体装置包括：衬底；整体增益区域，其安置于所述衬底上且可操作以响应于电流注入而产生光学增益，所述整体增益区域包含：第一电极，其位于所述增益区域的第一部分上方、具有第一长度L1，其中施加第一电流I1；及第二电极，其位于所述增益区域的第二部分上方、具有第二长度L2，其中施加第二电流I2；其中I1/L1大于I2/L2。

公开(公告)号：CN104052549A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410091660.5

申请日：2014-03-13

Applicant: 昂科公司

Inventor： 亨利·A·布劳沃特 ,  晓光·何 ,  凯利·沃何拉

IPC: H04B10/516 ,  H04B10/2575

CPC classification number: H01S5/0427 ,  G02F1/0121 ,  G02F1/025 ,  H01S5/026 ,  H01S5/0265 ,  H01S5/042 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/06251 ,  H01S5/1028 ,  H01S5/34306 ,  H04B10/2575 ,  H04B10/516 ,  Y10T29/49002

Abstract: 一种通过以下方式制作光学调制器的方法：确定所述调制器的波导部分中的量子阱区域的材料组合物，使得所述调制器在比预定波长大预定量的增益峰值波长下为透明的；及用所述所确定材料组合物制作所述调制器。

公开(公告)号：CN107078458A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580056314.6

申请日：2015-09-15

Applicant: 昂科公司

Inventor： 亨利·A·布劳维尔特 ,  晓光·何 ,  凯利·沃何拉

IPC: H01S5/026 ,  H01S5/042

CPC classification number: H01S5/0265 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/0427 ,  H01S5/12 ,  H01S2301/03

Abstract: 一种半导体装置包括：衬底；整体增益区域，其安置于所述衬底上且可操作以响应于电流注入而产生光学增益，所述整体增益区域包含：第一电极，其位于所述增益区域的第一部分上方、具有第一长度L1，其中施加第一电流I1；及第二电极，其位于所述增益区域的第二部分上方、具有第二长度L2，其中施加第二电流I2；其中I1/L1大于I2/L2。

公开(公告)号：CN104052549B

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201410091660.5

申请日：2014-03-13

Applicant: 昂科公司

Inventor： 亨利·A·布劳沃特 ,  晓光·何 ,  凯利·沃何拉

IPC: H04B10/516 ,  H04B10/2575

CPC classification number: H01S5/0427 ,  G02F1/0121 ,  G02F1/025 ,  H01S5/026 ,  H01S5/0265 ,  H01S5/042 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/06251 ,  H01S5/1028 ,  H01S5/34306 ,  H04B10/2575 ,  H04B10/516 ,  Y10T29/49002

Abstract: 一种通过以下方式制作光学调制器的方法：确定所述调制器的波导部分中的量子阱区域的材料组合物，使得所述调制器在比预定波长大预定量的增益峰值波长下为透明的；及用所述所确定材料组合物制作所述调制器。