公开(公告)号：CN105632554B

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201410609974.X

申请日：2014-11-03

Applicant: 旺宏电子股份有限公司

Inventor： 张育铭 ,  李永骏 ,  谢志昌 ,  黄识夫 ,  李祥邦 ,  张原豪 ,  郭大维

IPC: G11C16/06

Abstract: 本发明公开了一种存储装置的操作方法。一种存储装置的操作方法包括如下所述地写入存储装置。首先，提供数据。这些数据包括多个编码。计算所述编码各自的数目。接着，根据所述编码各自的数目产生一对应规则。在对应规则中，所述编码各对应至依序由低至高排列的多个验证电压电平的其中之一。之后，根据对应规则写入数据至存储装置中。

公开(公告)号：CN105405468B

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201410385623.5

申请日：2014-08-07

Applicant: 旺宏电子股份有限公司

Inventor： 丁英财 ,  吴哲钦 ,  周聪乙 ,  黄识夫

IPC: G11C29/44

Abstract: 本发明公开了一种存储器测试方法，用以测试存储器装置。该存储器装置包括存储器阵列，该存储器阵列包括多个对称存储器单元、多条字线与多条位线。于测试第一字线时，充电第一位线以测试该第一位线的相邻第一对称存储器单元的第一半边的单一位；以及充电第二位线以测试该第二位线的相邻一第二对称存储器单元的第二半边的单一位。于测试第二字线时，充电该第一位线以测试该第一位线的相邻一第三对称存储器单元的该第二半边的单一位；以及充电该第二位线以测试该第二位线的相邻一第四对称存储器单元的该第一半边的单一位。于测试各这些字线时，各这些位线被充电一次。

公开(公告)号：CN105632554A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201410609974.X

申请日：2014-11-03

Applicant: 旺宏电子股份有限公司

Inventor： 张育铭 ,  李永骏 ,  谢志昌 ,  黄识夫 ,  李祥邦 ,  张原豪 ,  郭大维

IPC: G11C16/06

Abstract: 本发明公开了一种存储装置的操作方法。一种存储装置的操作方法包括如下所述地写入存储装置。首先，提供数据。这些数据包括多个编码。计算所述编码各自的数目。接着，根据所述编码各自的数目产生一对应规则。在对应规则中，所述编码各对应至依序由低至高排列的多个验证电压电平的其中之一。之后，根据对应规则写入数据至存储装置中。

公开(公告)号：CN105405468A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201410385623.5

申请日：2014-08-07

Applicant: 旺宏电子股份有限公司

Inventor： 丁英财 ,  吴哲钦 ,  周聪乙 ,  黄识夫

IPC: G11C29/44

Abstract: 本发明公开了一种存储器测试方法，用以测试存储器装置。该存储器装置包括存储器阵列，该存储器阵列包括多个对称存储器单元、多条字线与多条位线。于测试第一字线时，充电第一位线以测试该第一位线的相邻第一对称存储器单元的第一半边的单一位；以及充电第二位线以测试该第二位线的相邻一第二对称存储器单元的第二半边的单一位。于测试第二字线时，充电该第一位线以测试该第一位线的相邻一第三对称存储器单元的该第二半边的单一位；以及充电该第二位线以测试该第二位线的相邻一第四对称存储器单元的该第一半边的单一位。于测试各这些字线时，各这些位线被充电一次。