膜结构
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1285010C

    公开(公告)日:2006-11-15

    申请号:CN03155178.5

    申请日:2003-08-25

    CPC classification number: G03F1/62 Y10T428/161 Y10T428/3154

    Abstract: 用波长为100-200nm的光进行光刻制图方法用的膜结构,它具有由以下含氟聚合物(A)制成的薄膜:含氟聚合物(A):一种基本线型的含氟聚合物,在其主链上有脂环结构。主链由碳原子组成,并符合下列要求(1)和(2):(1)主链上的碳原子包含连有至少一个氢原子的碳原子和不连氢原子的碳原子,(2)在用高分辨率核磁共振波谱进行测量时,基于总氢原子数,在大于2.8ppm的高磁场区出现的信号的氢原子个数至多为6mol%。

    膜结构
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1485692A

    公开(公告)日:2004-03-31

    申请号:CN03155178.5

    申请日:2003-08-25

    CPC classification number: G03F1/62 Y10T428/161 Y10T428/3154

    Abstract: 用波长为100-200nm的光进行光刻制图方法用的膜结构,它具有由以下含氟聚合物(A)制成的薄膜:含氟聚合物(A):一种基本线型的含氟聚合物,在其主链上有脂环结构。主链由碳原子组成,并符合下列要求(1)和(2):(1)主链上的碳原子包含连有至少一个氢原子的碳原子和不连氢原子的碳原子,(2)在用高分辨率核磁共振波谱进行测量时,基于总氢原子数,在大于2.8ppm的高磁场区出现的信号的氢原子个数至多为6mol%。

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