-
公开(公告)号：CN1754270A
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN200480005399.7
申请日：2004-02-26
Applicant: 旭化成电子株式会社
IPC: H01L43/06
CPC classification number: H01L43/065 , H01L43/14
Abstract: 本发明涉及半导体传感器及其制造方法，能够在Si衬底上形成电子迁移率高、片电阻比较大的InSb或InAs膜成，从而在工业上提供高灵敏度而且低功耗的优良的元件。在(111)Si衬底上首先形成由Ga、Al、In、As、Sb、P之中的至少2种或2种以上的元素构成的第1化合物半导体层(2)，再在该第1化合物半导体层(2)上，作为第2化合物半导体层(3)通过形成InSb或InAs而获得膜厚1μm左右的高电子迁移率而且高电阻的膜。进而，使用所获得的薄膜形成霍尔元件，从而能够形成高灵敏度而且电阻比较高的元件。
Search Results
1
records
(took 0.02 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
