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公开(公告)号：CN111384021A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201911367935.2
申请日：2019-12-26
Applicant: 旭化成株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 本发明的目的在于提供再布线层中的层间绝缘膜与封装材料的密合性优异且电特性优异的半导体装置及其制造方法。本发明的半导体装置(1)的特征在于，具备半导体芯片(2)、覆盖半导体芯片的封装材料(3)、以及在俯视时面积大于前述半导体芯片的再布线层(4)，再布线层的层间绝缘膜(6)在空气气氛下、以10℃/分钟温至700℃后的失重率为5～95重量％。根据本发明，能够提供再布线层中的层间绝缘膜与封装材料的密合性优异且电特性优异的半导体装置及其制造方法。
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公开(公告)号：CN118448385A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410525922.8
申请日：2019-12-26
Applicant: 旭化成株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 本发明的目的在于提供再布线层中的层间绝缘膜与封装材料的密合性优异且电特性优异的半导体装置及其制造方法。本发明的半导体装置(1)的特征在于，具备半导体芯片(2)、覆盖半导体芯片的封装材料(3)、以及在俯视时面积大于前述半导体芯片的再布线层(4)，再布线层的层间绝缘膜(6)在空气气氛下、以10℃/分钟温至700℃后的失重率为5～95重量％。根据本发明，能够提供再布线层中的层间绝缘膜与封装材料的密合性优异且电特性优异的半导体装置及其制造方法。
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公开(公告)号：CN111384021B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN201911367935.2
申请日：2019-12-26
Applicant: 旭化成株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 本发明的目的在于提供再布线层中的层间绝缘膜与封装材料的密合性优异且电特性优异的半导体装置及其制造方法。本发明的半导体装置(1)的特征在于，具备半导体芯片(2)、覆盖半导体芯片的封装材料(3)、以及在俯视时面积大于前述半导体芯片的再布线层(4)，再布线层的层间绝缘膜(6)在空气气氛下、以10℃/分钟温至700℃后的失重率为5～95重量％。根据本发明，能够提供再布线层中的层间绝缘膜与封装材料的密合性优异且电特性优异的半导体装置及其制造方法。
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公开(公告)号：CN116995056A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310470098.6
申请日：2023-04-27
Applicant: 旭化成株式会社
Inventor： 清水建树
IPC: H01L23/528 , H01L23/532 , H01L23/31 , H01L21/56 , H01L21/60
Abstract: [课题]提供能够实现绝缘层的耐化学药品性的提高以及绝缘层与布线在热历程后的密合性的确保的半导体装置及其制造方法。[解决手段]具备半导体芯片(2)、密封结构和再布线层(4)，所述密封结构以半导体芯片(2)的至少一部分露出的方式覆盖半导体芯片(2)，所述再布线层(4)配置在半导体芯片(2)的未被密封结构覆盖的表面侧，且俯视时的面积大于半导体芯片(2)，再布线层(4)包含单层或多层的绝缘层(6)，再布线层(4)的绝缘层(6)的剖视的高低差为0.1μm～1.8μm。
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公开(公告)号：CN114207522A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202080054993.4
申请日：2020-07-29
Applicant: 旭化成株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/031 , G03F7/20 , G03F7/027 , H01L21/027
Abstract: 提供：即使焦点深度产生偏差也显示良好的分辨率、与模制树脂的粘接性良好、表现出低介电常数的负型感光性树脂组合物；使用该感光性树脂组合物的聚酰亚胺的制造方法；固化浮雕图案的制造方法；以及，具有该固化浮雕图案的半导体装置。一种负型感光性树脂组合物，其特征在于，包含含有通式(A1)所示的结构的聚酰亚胺前体、(B)光聚合引发剂和(C)溶剂。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116256946A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202211575269.3
申请日：2022-12-08
Applicant: 旭化成株式会社
IPC: G03F7/035 , G03F7/038 , G03F7/16 , G03F7/031 , G03F7/20 , G03F7/023 , C09D179/08 , G03F7/26 , C08L77/00 , G03F7/004 , G03F7/037 , G03F7/027 , G03F7/022
Abstract: 一种感光性树脂组合物、固化浮雕图案的制造方法和半导体装置。提供获得在铜或铜合金上也具有高密合性、迁移受到抑制的固化膜的感光性树脂组合物、使用其来制造固化浮雕图案的方法和半导体装置。一种负型感光性树脂组合物，其包含：(A)含有聚酰亚胺前体、聚酰亚胺或这两者的树脂；(B)光聚合引发剂；以及(C)含氮杂环化合物。上述(C)含氮杂环化合物为选自通式(4)和(5)的化合物中的至少一者。
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公开(公告)号：CN112940253A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110309562.4
申请日：2016-09-21
Applicant: 旭化成株式会社
Abstract: 本申请涉及一种聚酰亚胺前体、树脂组合物和树脂薄膜的制造方法。特别地，本申请涉及(a1)一种聚酰亚胺前体，以1/99≤(结构单元L的摩尔数/结构单元M的摩尔数)≤99/1包含下述通式(1){式中，X1表示碳数4～32的四价基团。R1、R2、R3各自独立地表示碳数1～20的一价有机基团。n表示0或1。并且a、b和c为0～4的整数。}所示的结构单元L和下述通式(2){式中，X2表示碳数4～32的四价基团。}所示的结构单元M。
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公开(公告)号：CN108026273A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680054473.7
申请日：2016-09-21
Applicant: 旭化成株式会社
Abstract: (a1)一种聚酰亚胺前体，以1/99≤(结构单元L的摩尔数/结构单元M的摩尔数)≤99/1包含下述通式(1){式中，X1表示碳数4～32的四价基团。R1、R2、R3各自独立地表示碳数1～20的一价有机基团。n表示0或1。并且a、b和c为0～4的整数。}所示的结构单元L和下述通式(2){式中，X2表示碳数4～32的四价基团。}所示的结构单元M。
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公开(公告)号：CN118676106A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410283015.7
申请日：2024-03-13
Applicant: 旭化成株式会社
Inventor： 清水建树
IPC: H01L23/498 , H01L23/538 , H01L23/31 , H01L21/56 , H01L21/48 , H01L21/768
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法。提供可实现能在绝缘层中形成微细的通路孔、不发生绝缘不良及能确保绝缘层与布线在可靠性试验后的密合性中的全部的半导体装置，且提供能实现绝缘层的耐化学药品性的提高及绝缘层与布线在热历程后的密合性的确保的半导体装置。半导体装置(1)具备半导体芯片(2)、密封材料(3)和再布线层(4)，密封材料(3)将半导体芯片(2)以其至少一部分露出的方式覆盖，再布线层(4)配置于半导体芯片(2)中的未被密封材料(3)覆盖的表面侧，且俯视时的面积大于半导体芯片(2)，再布线层(4)包含与半导体芯片(2)电连接的布线(5)和透氧度为150～7000cm3/m2·天·atm的绝缘层(6)。
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公开(公告)号：CN118448386A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410525923.2
申请日：2019-12-26
Applicant: 旭化成株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 本发明的目的在于提供再布线层中的层间绝缘膜与封装材料的密合性优异且电特性优异的半导体装置及其制造方法。本发明的半导体装置(1)的特征在于，具备半导体芯片(2)、覆盖半导体芯片的封装材料(3)、以及在俯视时面积大于前述半导体芯片的再布线层(4)，再布线层的层间绝缘膜(6)在空气气氛下、以10℃/分钟温至700℃后的失重率为5～95重量％。根据本发明，能够提供再布线层中的层间绝缘膜与封装材料的密合性优异且电特性优异的半导体装置及其制造方法。
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