公开(公告)号：CN101348538A

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200810108928.6

申请日：2004-09-10

Applicant: 旭化成化学株式会社 ,  大金工业株式会社

Inventor： 本多英司 ,  饭嶋秀树 ,  桥本康博 ,  伊野忠 ,  井坂忠晴 ,  近藤昌宏

IPC: C08F214/26 ,  C08F216/12 ,  C08F2/22 ,  C08J5/18 ,  H01M4/86 ,  H01M8/02

Abstract: 本发明提供稳定的含氟聚合物及其制造方法，所述制造方法是通过对含有具有磺酸衍生基团的含氟聚合物的处理对象物进行氟化处理来制造稳定的含氟聚合物的制造方法，其特征在于，所述含有磺酸基团的含氟聚合物是具有－SO3M(M表示H、NR1R2R3R4或M11/L，R1、R2、R3和R4可以相同或相异，表示H或碳原子数为1～4的烷基，M1表示L价的金属)的含氟聚合物，所述处理对象物中，水分所占的质量比小于等于500ppm。

公开(公告)号：CN1849345A

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：CN200480026107.8

申请日：2004-09-10

Applicant: 旭化成化学株式会社 ,  大金工业株式会社

Inventor： 本多英司 ,  饭嶋秀树 ,  桥本康博 ,  伊野忠 ,  井坂忠晴 ,  近藤昌宏

IPC: C08F8/20 ,  H01M4/86 ,  H01M8/02

Abstract: 本发明提供稳定的含氟聚合物的制造方法，其是通过对含有具有磺酸衍生基团的含氟聚合物的处理对象物进行氟化处理来制造稳定的含氟聚合物的制造方法，其特征在于，所述含有磺酸基团的含氟聚合物是具有－S03M(M表示H、NR1R2R3R4或M11/L，R1、R2、R3和R4可以相同或相异，表示H或碳原子数为1～4的烷基，M1表示L价的金属)的含氟聚合物，所述处理对象物中，水分所占的质量比小于等于500ppm。

公开(公告)号：CN101348538B

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN200810108928.6

申请日：2004-09-10

Applicant: 旭化成电子材料株式会社 ,  大金工业株式会社

Inventor： 本多英司 ,  饭嶋秀树 ,  桥本康博 ,  伊野忠 ,  井坂忠晴 ,  近藤昌宏

IPC: C08F214/26 ,  C08F216/12 ,  C08F2/22 ,  C08J5/18 ,  H01M4/86 ,  H01M8/02

Abstract: 本发明提供稳定的含氟聚合物及其制造方法，所述制造方法是通过对含有具有磺酸衍生基团的含氟聚合物的处理对象物进行氟化处理来制造稳定的含氟聚合物的制造方法，其特征在于，所述含有磺酸基团的含氟聚合物是具有-SO3M(M表示H、NR1R2R3R4或M11/L，R1、R2、R3和R4可以相同或相异，表示H或碳原子数为1～4的烷基，M1表示L价的金属)的含氟聚合物，所述处理对象物中，水分所占的质量比小于等于500ppm。

公开(公告)号：CN1849345B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200480026107.8

申请日：2004-09-10

Applicant: 旭化成电子材料株式会社 ,  大金工业株式会社

Inventor： 本多英司 ,  饭嶋秀树 ,  桥本康博 ,  伊野忠 ,  井坂忠晴 ,  近藤昌宏

IPC: C08F8/20 ,  H01M4/86 ,  H01M8/02

Abstract: 本发明提供稳定的含氟聚合物的制造方法，其是通过对含有具有磺酸衍生基团的含氟聚合物的处理对象物进行氟化处理来制造稳定的含氟聚合物的制造方法，其特征在于，所述含有磺酸基团的含氟聚合物是具有-SO3M(M表示H、NR1R2R3R4或M11/L，R1、R2、R3和R4可以相同或相异，表示H或碳原子数为1～4的烷基，M1表示L价的金属)的含氟聚合物，所述处理对象物中，水分所占的质量比小于等于500ppm。