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发明公开
金属掩膜材料及其制造方法、金属掩膜审中-实审

公开(公告)号：CN112752860A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN201980063786.2

申请日：2019-09-27

Applicant: 日铁化学材料株式会社

Inventor： 米村光治 , 藤本直树 , 木村圭太 , 海野裕人

IPC: C22C38/00 , C21D9/46 , C22C38/10

Abstract: 本发明提供使蚀刻导致的翘曲量减小的OLED用的金属掩膜材料及其制造方法和金属掩膜。本发明的金属掩膜材料及金属掩膜的特征在于，以质量％计，含有Ni：35.0～37.0％、Co；0.00～0.50％，剩余部分由Fe及杂质构成；板厚为5.00μm以上且50.00μm以下，将一边为100mm的正方形的上述金属掩膜材料的试样从其单侧进行蚀刻，到该试样的板厚变成2/5为止，将蚀刻后的上述试样载置在平台上时的、上述试样的4角的浮起量中的作为最大值的翘曲量为5.0mm以下。

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