公开(公告)号：CN1277726A

公开(公告)日：2000-12-20

申请号：CN99801568.7

申请日：1999-09-10

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 中冈范行 ,  川上章 ,  山田英矢

IPC: H01F1/04 ,  C21D8/12

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B32B15/015 ,  B82Y40/00 ,  C21D8/12 ,  C21D8/1233 ,  C21D8/1244 ,  C21D2251/02 ,  H01F1/0063 ,  H01F1/14 ,  H01F10/265 ,  H01F41/301 ,  Y10T428/12465

Abstract: 本发明涉及一种具有矩形磁滞回线和优异的磁化陡度的半硬磁材料和一种制造优选用于磁性标识器的偏置材料的方法。该方法由以下步骤组成:制备一种多层覆层材料,其中扩散粘结层“A”和层“B”、每个层“A”含有Fe作为主要元素、每个层“B”含有Cu族金属作为主要元素;加热该多层覆层材料;对该材料进行分割处理;和此外进行冷加工。用该方法,可以得到具有高矩形度比率和优异磁化陡度的半硬磁材料,和得到用于磁性标识器的偏置材料。