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公开(公告)号：CN104040655B
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201380004688.4
申请日：2013-02-28
Applicant: 日立金属株式会社
Inventor： 小幡彻
CPC classification number: H01F41/0293 , B22F3/00 , B22F3/003 , B22F3/26 , B22F2999/00 , C22C19/03 , C22C21/00 , C22C33/02 , C22C33/0278 , C22C38/00 , C22C38/002 , C22C38/005 , C22C38/02 , C22C38/10 , C22C38/16 , F27B5/04 , F27B5/10 , F27D5/00 , F27D7/06 , H01F1/0577 , B22F3/1007
Abstract: 本发明的R－T－B系烧结磁体的制造方法包括：隔着具有开口部的平板状的保持部件，交替配置RH扩散源和R－T－B系烧结磁石体，构成叠层体的工序；将上述叠层体配置在处理容器内的工序；在上述处理容器内的压力为2.0Pa以上、50Pa以下、温度为800℃以上、950℃以下的条件下，进行RH供给扩散处理的工序(A)；和在上述处理容器内的压力为150Pa以上、2kPa以下、温度为800℃以上、950℃以下的条件下，进行RH扩散处理的工序(B)，并且包括将工序(A)和工序(B)交替重复2次以上的工序。
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公开(公告)号：CN114867572A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202080089947.8
申请日：2020-12-24
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: B22F9/04 , H01F1/057 , H01F41/02 , C22C38/00 , B22F3/02 , B22F3/10 , C22C33/02 , B22F1/14 , B22F1/05 , B22F3/24
Abstract: 本发明的R－T－B系烧结磁体的制造方法包括：准备平均粒度为10μm以上500μm以下的R－T－B系烧结磁体用合金的粗粉碎粉的工序；向粉碎室被不活泼气体充满的喷射磨装置供给上述粗粉碎粉并对上述粗粉碎粉进行粉碎，得到平均粒度为2.0μm以上4.5μm以下的微粉末的工序；和制作上述微粉末的烧结体的工序，上述不活泼气体被加湿，上述R－T－B系烧结磁体的氧的含量以质量比计为1000ppm以上3500ppm以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113451032A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110319000.8
申请日：2021-03-25
Applicant: 日立金属株式会社
Abstract: R－T－B系烧结磁体的制造方法包括：准备含有33～69质量％R1、0.2～0.8质量％B、0.8～3.0质量％Cu、1.8～10质量％Ga、15～60质量％T的添加合金粉末的工序；准备含有28.5～33.0质量％R、0.80～1.0质量％B、0.1～0.4质量％Ga、64～70质量％T的主合金粉末的工序；准备混合合金粉末的工序；向粉碎室充满不活泼气体的喷射磨装置供给混合合金粉末进行粉碎得到微粉末的工序；制作微粉末烧结体的工序。添加合金粉末的Pr含量大于主合金粉末的Pr含量，不活泼气体经加湿，烧结磁体中氧含量为1000ppm以上3000ppm以下，满足[T]/55.85＞14×[B]/10.8。
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公开(公告)号：CN115732214A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211059968.2
申请日：2022-08-31
Applicant: 日立金属株式会社
Abstract: 本发明所要解决的技术问题在于：抑制因制造条件的偏差而引起的矫顽力HcJ和方形比Hk/HcJ的下降。解决技术问题的技术手段在于：本发明的R－T－B系烧结磁体的制造方法包括：准备含有稀土元素的合金粉末的成型体的工序；将成型体进行烧结而制作烧结体的烧结工序；在热处理炉内对烧结体以300℃以上且小于400℃的第一温度，热处理30分钟以上900分钟以下的时间的第一热处理工序；和在热处理炉内对烧结体以400℃以上500℃以下的第二温度，热处理30分钟以上900分钟以下的时间的第二热处理工序。第一温度与第二温度之差为50℃以上。
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公开(公告)号：CN104040655A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201380004688.4
申请日：2013-02-28
Applicant: 日立金属株式会社
Inventor： 小幡彻
CPC classification number: H01F41/0293 , B22F3/00 , B22F3/003 , B22F3/26 , B22F2999/00 , C22C19/03 , C22C21/00 , C22C33/02 , C22C33/0278 , C22C38/00 , C22C38/002 , C22C38/005 , C22C38/02 , C22C38/10 , C22C38/16 , F27B5/04 , F27B5/10 , F27D5/00 , F27D7/06 , H01F1/0577 , B22F3/1007
Abstract: 本发明的R－T－B系烧结磁体的制造方法包括：隔着具有开口部的平板状的保持部件，交替配置RH扩散源和R－T－B系烧结磁石体，构成叠层体的工序；将上述叠层体配置在处理容器内的工序；在上述处理容器内的压力为2.0Pa以上、50Pa以下、温度为800℃以上、950℃以下的条件下，进行RH供给扩散处理的工序(A)；和在上述处理容器内的压力为150Pa以上、2kPa以下、温度为800℃以上、950℃以下的条件下，进行RH扩散处理的工序(B)，并且包括将工序(A)和工序(B)交替重复2次以上的工序。
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公开(公告)号：CN103140902B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201180047320.7
申请日：2011-08-05
Applicant: 日立金属株式会社
Inventor： 小幡彻
CPC classification number: H01F41/00 , C22C33/02 , C22C38/002 , C22C38/005 , C22C38/06 , C22C38/10 , C22C38/16 , C22C2202/02 , H01F1/0577 , H01F41/0293
Abstract: 本发明提供一种不使R-T-B类烧结磁体和保持部件熔接、增加每一次的处理量的高效的RH供给、扩散处理的制造方法。R-T-B类烧结磁体的制造方法，其包括：将RH扩散源和R-T-B类烧结磁石体隔着具有开口部的保持部件交替地叠层，构成叠层体的工序；和在处理容器内配置上述叠层体，使上述处理容器内为0.1Pa以上50Pa以下、800℃以上950℃以下的气氛，进行RH供给扩散处理的工序。
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公开(公告)号：CN103140902A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201180047320.7
申请日：2011-08-05
Applicant: 日立金属株式会社
Inventor： 小幡彻
CPC classification number: H01F41/00 , C22C33/02 , C22C38/002 , C22C38/005 , C22C38/06 , C22C38/10 , C22C38/16 , C22C2202/02 , H01F1/0577 , H01F41/0293
Abstract: 本发明提供一种不使R-T-B类烧结磁体和保持部件熔接、增加每一次的处理量的高效的RH供给、扩散处理的制造方法。R-T-B类烧结磁体的制造方法，其包括：将RH扩散源和R-T-B类烧结磁石体隔着具有开口部的保持部件交替地叠层，构成叠层体的工序；和在处理容器内配置上述叠层体，使上述处理容器内为0.1Pa以上50Pa以下、800℃以上950℃以下的气氛，进行RH供给扩散处理的工序。
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