公开(公告)号：CN1311524A

公开(公告)日：2001-09-05

申请号：CN01116283.X

申请日：2001-02-09

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 村松信一 ,  皆川康 ,  冈史人 ,  高桥进 ,  矢泽义昭

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02667 ,  C30B11/12 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/2022 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521

Abstract: 衬底1上形成凹凸部分,非晶硅层4形成在按点形分散设在凹凸部分的凹坑部分中的金属催化剂3上,从金属催化剂3生长有各个取向的晶相5,晶相5经连续热处理而相互聚集并形成多晶硅层6。结晶硅半导体器件及其制造方法有价格优势,能有效形成用于半导体器件的有预定厚度的多晶硅层。而且,衬底1上顺序形成按面(111)取向的多晶硅层30,Ni构成的金属催化剂40,多晶硅层50。其上形成预定厚度的非晶硅层60之后,进行热处理,Ni元素从金属催化剂层40扩散进非晶硅层60中,使非晶硅层60结晶成多晶硅层60’。

公开(公告)号：CN1218363C

公开(公告)日：2005-09-07

申请号：CN01116283.X

申请日：2001-02-09

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 村松信一 ,  皆川康 ,  冈史人 ,  高桥进 ,  矢泽义昭

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02667 ,  C30B11/12 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/2022 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521

Abstract: 衬底(1)上形成凹凸部分，非晶硅层(4)形成在按点形分散设在凹凸部分的凹坑部分中的金属催化剂(3)上，从金属催化剂(3)生长有各个取向的晶相(5)，晶相(5)经连续热处理而相互聚集并形成多晶硅层(6)。结晶硅半导体器件及其制造方法有价格优势，能有效形成用于半导体器件的有预定厚度的多晶硅层。而且，衬底(1)上顺序形成按面(111)取向的多晶硅层(30)，Ni构成的金属催化剂(40)，多晶硅层(50)。其上形成预定厚度的非晶硅层(60)之后，进行热处理，Ni元素从金属催化剂层(40)扩散进非晶硅层(60)中，使非晶硅层(60)结晶成多晶硅层(60’)。