公开(公告)号：CN1535796B

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN200410007296.6

申请日：2004-02-27

Applicant: 日立环球储存科技荷兰有限公司

Inventor： 马克·A.·丘奇 ,  维普尔·P.·加亚塞卡拉 ,  霍华德·G.·左拉

IPC: H01L21/302

CPC classification number: B24B37/042 ,  Y10T29/49034 ,  Y10T29/49046 ,  Y10T29/49048

Abstract: 一种降低在研磨指示体中的噪声的方法。掩蔽巨磁阻器件晶片的选定部分，从而限定晶片的掩蔽区和包括研磨指示体的未掩蔽区。用离子轰击晶片，从而降低未掩蔽区的巨磁阻效应。研磨GMR器件，使用研磨指示体来测量研磨的程度。

公开(公告)号：CN1535796A

公开(公告)日：2004-10-13

申请号：CN200410007296.6

申请日：2004-02-27

Applicant: 日立环球储存科技荷兰有限公司

Inventor： 马克·A.·丘奇 ,  维普尔·P.·加亚塞卡拉 ,  霍华德·G.·左拉

IPC: B24B37/04 ,  H01L21/302 ,  B24B1/00

CPC classification number: B24B37/042 ,  Y10T29/49034 ,  Y10T29/49046 ,  Y10T29/49048

Abstract: 一种降低在研磨指示体中的噪声的方法。掩蔽巨磁阻器件晶片的选定部分，从而限定晶片的掩蔽区和包括研磨指示体的未掩蔽区。用离子轰击晶片，从而降低未掩蔽区的巨磁阻效应。研磨GMR器件，使用研磨指示体来测量研磨的程度。