公开(公告)号：CN108352359A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201780004060.2

申请日：2017-01-12

Applicant: 日立汽车系统株式会社

Inventor： 和田真一郎 ,  池个谷克己

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/336 ,  H01L21/76 ,  H01L27/04 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H03K17/687

CPC classification number: H01L21/76 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H03K17/0822

Abstract: 本发明提供能够提高低侧晶体管的放热性并且抑制高侧晶体管的基板偏置效应的半导体装置。高侧NMOS晶体管(101)形成于SOI基板(30)的表面区域(S1)。沟槽(41)围绕高侧NMOS晶体管(101)。SiO2(第一绝缘体)填埋沟槽(41)。低侧NMOS晶体管(102)形成于沟槽(41)周围的SOI基板(30)的表面区域(S2)。使侧面(Sf)露出，所述侧面(Sf)连接形成低侧NMOS晶体管(102)的区域(S2)和SOI基板(30)的背面。