功率半导体装置
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111886694B

    公开(公告)日:2024-09-27

    申请号:CN201980019947.8

    申请日:2019-02-07

    Abstract: 本发明的课题是提高功率半导体装置的组装性。功率半导体装置具备:多个子模块,其具备被夹在源极导体和漏极导体之间的半导体元件、传递该半导体元件的感测信号的感测布线、和配置该感测布线及源极导体的绝缘部;以及源极外侧导体,其在多个子模块的每一个中覆盖源极导体而形成且与该源极导体接合,多个子模块所包含的各个源极导体具有突出部,该突出部从该源极导体朝向感测布线而形成且与感测布线连接,并且规定感测布线和源极外侧导体的距离。

    半导体装置及其制造方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114008775A

    公开(公告)日:2022-02-01

    申请号:CN202080045792.8

    申请日:2020-06-16

    Abstract: 本发明的半导体装置(100)包括:半导体元件(10),其具有具备开口部(15a)的第一绝缘层(15)以及从第一绝缘层(15)的开口部(15a)露出的源极电极(12);中继导体(21),其与源极电极(12)相接合;接合层(41),其将源极电极(12)与中继导体(21)相接合;第二绝缘层(31),其覆盖第一绝缘层(15a)的至少一部分,至少与接合层(41)的周围相接地进行设置;表面侧导体(22),其与中继导体(21)相连接;以及密封树脂(32),其填充在表面侧导体(22)与第二绝缘层(31)之间。由此,提供如下半导体装置:即使存在孔隙,局部放电的产生也得到抑制。

Patent Agency Ranking