-
公开(公告)号：CN118355488A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202180104716.4
申请日：2021-12-15
Applicant: 日立安斯泰莫株式会社
IPC: H01L23/36
Abstract: 半导体装置具备：第一导体构件，其与开关元件连接；第二导体构件，其与开关元件连接；散热构件，其与并列配置的第一导体构件及第二导体构件相对配置；以及绝缘构件，其具有与第一导体构件相对的第一中间导体、与第二导体构件相对的第二中间导体、以及内包第一中间导体及第二中间导体的电绝缘层，绝缘构件配置在并列配置的第一导体构件及第二导体构件和散热构件之间，其中，电绝缘层包括配置有第一中间导体的第一绝缘层、配置有第二中间导体的第二绝缘层、以及介于第一绝缘层和第二绝缘层之间的第三绝缘层。
Search Results
1
records
(took 0.017 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
