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公开(公告)号：CN1269198C
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN01816599.0
申请日：2001-09-28
Applicant: 日立化成工业株式会社
CPC classification number: H01L23/3107 , C08G59/302 , C08L63/00 , H01L23/293 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01046 , H01L2924/01057 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/3511 , H01L2924/00 , H01L2924/00015 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明是一种树脂密封型半导体装置，其特征在于，具备：具有芯片焊接底板和内引线的引线框架，通过芯片焊接材料设置在上述芯片焊接底板上的半导体芯片，和密封上述半导体芯片和引线框架的密封材料。将25℃时的密封材料的挠曲强度设为σb(MPa)、密封材料相对于焊锡安装峰值温度下的内引线和芯片焊接底板的的剪切应变能分别设为Ui(N·m)、Ud(N·m)时，固化后的芯片焊接材料和密封材料的特性满足以下式(1)、式(2)、式(3)：σe≤0.2×σb 式(1)；Ui≥2.0×10-6×σei 式(2)；Ud≥4.69×10-6×σed 式(3)；其中，σe＝(1/log(Kd1))×Ee1×(αm-αe1)×ΔT1式(4)；σei＝Ee2×(αe2-αm)×ΔT2式(5)；σed＝log(Kd2)×Ee2×(αe2-＝m)×ΔT2式(6)。Kd1：25℃时的芯片焊接材料的弯曲弹性系数Ed1(MPa)在1MPa＜Edl≤300MPa时，相对于弹性系数1MPa的比，Kd2：焊锡安装时的峰值温度下芯片焊接材料的弯曲弹性系数Ed2(MPa)在1MPa＜Ed2≤70MPa时，相对于弹性系数1MPa的比，Ee1：25℃下密封材料的弯曲弹性系数(MPa)，Ee2：焊锡安装时峰值温度下密封材料的弯曲弹性系数(MPa)，αe1：由半导体装置的成形温度至25℃时的密封材料的平均热膨胀系数(1/℃)，αe2：由半导体装置的成形温度至焊锡安装时的峰值温度下的密封材料的平均热膨胀系数(1/℃)，αm：引线框架的热膨胀系数(1/℃)，ΔT1：半导体装置的成形温度与抗温度周期性试验时的低温侧温度的差(℃)，ΔT2：半导体装置的成形温度与焊锡安装时峰值温度的差(℃)。
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公开(公告)号：CN1938622A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200580010269.7
申请日：2005-03-04
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: G02B6/30
Abstract: 本发明提供一种可减小由于周围环境温度变化引起的耦合损失变动的、耦合光纤与光波导管的光学元件耦合结构体。本发明涉及一种耦合光纤和光波导管的光学元件耦合结构体。本发明的光学元件耦合结构体(1)具有光纤(2)和形成了光波导管(4)的基板(6)。基板(6)具有对齐光纤(2)与光波导管(4)而形成的V字形截面槽(8)和在该槽(8)的光波导管(4)侧形成的凹部(10)。光纤(2)通过粘着剂(22)固定在槽(8)上。向凹部(10)突出的光纤(2)的前端部(18)与光波导管(4)通过填充在它们之间及凹部(10)内的耦合剂(24)耦合。
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公开(公告)号：CN100432723C
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200580010269.7
申请日：2005-03-04
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: G02B6/30
Abstract: 本发明提供一种可减小由于周围环境温度变化引起的耦合损失变动的、耦合光纤与光波导管的光学元件耦合结构体。本发明涉及一种耦合光纤和光波导管的光学元件耦合结构体。本发明的光学元件耦合结构体(1)具有光纤(2)和形成了光波导管(4)的基板(6)。基板(6)具有对齐光纤(2)与光波导管(4)而形成的V字形截面槽(8)和在该槽(8)的光波导管(4)侧形成的凹部(10)。光纤(2)通过粘着剂(22)固定在槽(8)上。向凹部(10)突出的光纤(2)的前端部(18)与光波导管(4)通过填充在它们之间及凹部(10)内的耦合剂(24)耦合。
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公开(公告)号：CN1466774A
公开(公告)日：2004-01-07
申请号：CN01816599.0
申请日：2001-09-28
Applicant: 日立化成工业株式会社
CPC classification number: H01L23/3107 , C08G59/302 , C08L63/00 , H01L23/293 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01046 , H01L2924/01057 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/3511 , H01L2924/00 , H01L2924/00015 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明是一种树脂密封型半导体装置，其特征在于，具备：具有芯片焊接底板和内引线的引线框架，通过芯片焊接材料设置在上述芯片焊接底板上的半导体芯片，和密封上述半导体芯片和引线框架的密封材料。将25℃时的密封材料的挠曲强度设为σb(MPa)、密封材料相对于焊锡安装峰值温度下的内引线和芯片焊接底板的的剪切应变能分别设为Ui(N·m)、Ud(N·m)时，固化后的芯片焊接材料和密封材料的特性满足以下式(1)、式(2)、式(3)：σe≤0.2×σb式(1)、Ui≥2.0×10－6×σei式(2)、Ud≥4.69×10－6×σed式(3)。其中，σe＝(1/log(Kd1))×Ee1×(αm－αe1)×ΔT1式(4)、σei＝Ee2×(αe2－αm)×ΔT2式(5)、σed＝log(Kd2)×Ee2×(αe2－αm)×ΔT2式(6)。Kd1：25℃时的芯片焊接材料的弯曲弹性系数Ed1(MPa)相对于弹性系数1MPa的比(Ed1＞1MPa)；Kd2：焊锡安装时的峰值温度下芯片焊接材料的弯曲弹性系数Ed2(MPa)相对于弹性系数1MPa的比(Ed2＞1MPa)；Ee1：25℃下密封材料的弯曲弹性系数(MPa)；Ee2：焊锡安装时峰值温度下密封材料的弯曲弹性系数(MPa)；αe1：由半导体装置的成形温度至25℃时的密封材料的平均热膨胀系数(1/℃)；αe2：由半导体装置的成形温度至焊锡安装时的峰值温度下的密封材料的平均热膨胀系数(1/℃)；αm：引线框架的热膨胀系数(1/℃)；ΔT1：半导体装置的成形温度与温度循环时的低温侧温度的差(℃)；ΔT2：半导体装置的成形温度与焊锡安装时峰值温度的差(℃)。
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