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公开(公告)号：CN101409189A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200810178595.4
申请日：2008-09-28
Applicant: 日本财团法人高知县产业振兴中心 , 卡西欧计算机株式会社
CPC classification number: H01J1/304 , H01J9/025 , H01J2201/30453 , H01J2201/30457
Abstract: 一种制造场发射电极的方法包括：加湿处理，作为电压施加的结果而在发射电子的电子发射膜的表面上吸附水分；以及电压施加处理，用于在经加湿的电子发射膜与面向该电子发射膜设置的电极之间施加老化电压。
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公开(公告)号：CN101469417B
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200810188628.3
申请日：2008-12-25
Applicant: 日本财团法人高知县产业振兴中心 , 卡西欧计算机株式会社
IPC: C23C16/513 , C23C16/27 , H01J9/02
CPC classification number: C23C16/503 , C23C16/4586 , C23C16/463 , H01J37/32009 , H01J37/32541 , H01J2237/2001 , H01L21/67109
Abstract: 本发明公开了沉积设备和沉积方法，所述沉积设备包括：用于放置处理对象的第一电极；用于和第一电极产生等离子体的第二电极，第二电极和第一电极相对；和用于冷却处理对象的冷却部件，其中，在所述处理对象和所述冷却部件之间，与处理对象的中心部分和冷却部件之间的热阻相比，中心部分周围的周围部分和冷却部件之间的热阻较小。
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公开(公告)号：CN101016624B
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN200610146366.5
申请日：2006-09-29
Applicant: 日本财团法人高知县产业振兴中心 , 卡西欧计算机株式会社
IPC: C23C16/513 , C23C16/52 , C23C16/26 , C23C16/27
CPC classification number: C23C16/52 , C23C16/272 , C23C16/463 , H01J37/34 , H01J37/3497 , H01J2237/2001 , H01J2237/3321
Abstract: 本发明公开了一种等离子体化学气相沉积装置和一种等离子体表面处理方法。基片(1)安置在腔室(10)中的阳极(11a)的安置面上。在面对阳极(11a)的阴极(13)中形成流动通路(13a)，冷却水通过那里循环。在阳极(11a)和阴极(13)间施加电压，通过等离子体在基片(1)上形成碳纳米壁层，然后用冷却构件(12)冷却阳极(11a)，将基片(1)快速冷却到预定温度。
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公开(公告)号：CN101065820B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200580040587.8
申请日：2005-11-28
Applicant: 日本财团法人高知县产业振兴中心 , 卡西欧计算机株式会社
IPC: H01J1/304
CPC classification number: H01J1/3048 , H01J2201/30457
Abstract: 将一种在X射线衍射中具有金刚石的图案并且由微粒直径为5nm到10nm的多个金刚石细微粒形成的电子发射膜形成在基板上。该电子发射膜可以在其使发射电流流动时将场强限制为低水平，并且该电子发射膜具有均匀的电子发射特性。
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公开(公告)号：CN101325836A
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200710185799.6
申请日：2007-12-25
Applicant: 日本财团法人高知县产业振兴中心 , 卡西欧计算机株式会社
IPC: H05H1/46 , C23C16/44 , C23C16/513
Abstract: 本发明提供等离子体CVD装置及成膜方法，没有成膜的偏差。本发明的等离子体CVD装置，具有：第1电极，设置在反应槽内，并载放基板；第2电极，在所述第1电极的上方与所述第1电极相对，并在所述第2电极与所述第1电极之间生成等离子体；形成有多个喷出口的第1气体导入喷嘴，设置为高度在所述反应槽内的所述第1电极的高度和所述第2电极的高度之间，并且设置成包围着所述第1电极和所述第2电极之间的等离子体生成的区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101463472B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200810185644.7
申请日：2008-12-17
Applicant: 日本财团法人高知县产业振兴中心 , 卡西欧计算机株式会社
IPC: C23C16/27 , C23C16/513 , H01J9/00
CPC classification number: C23C16/4586 , C23C16/463
Abstract: 本发明公开了沉积设备，其包括：用于放置处理对象的第一电极；用于和第一电极产生等离子体的第二电极，第二电极和第一电极相对；和热流控制传热部件，用于从处理对象吸收热量以产生从处理对象的中心区域到边界区域的热流。
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公开(公告)号：CN101325836B
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN200710185799.6
申请日：2007-12-25
Applicant: 日本财团法人高知县产业振兴中心 , 卡西欧计算机株式会社
IPC: H01L21/205 , H05H1/46 , C23C16/44 , C23C16/513
Abstract: 本发明提供等离子体CVD装置及成膜方法，没有成膜的偏差。本发明的等离子体CVD装置，具有：第1电极，设置在反应槽内，并载放基板；第2电极，在所述第1电极的上方与所述第1电极相对，并在所述第2电极与所述第1电极之间生成等离子体；形成有多个喷出口的第1气体导入喷嘴，设置为高度在所述反应槽内的所述第1电极的高度和所述第2电极的高度之间，并且设置成包围着所述第1电极和所述第2电极之间的等离子体生成的区域。
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公开(公告)号：CN101409189B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200810178595.4
申请日：2008-09-28
Applicant: 日本财团法人高知县产业振兴中心 , 卡西欧计算机株式会社
CPC classification number: H01J1/304 , H01J9/025 , H01J2201/30453 , H01J2201/30457
Abstract: 一种制造场发射电极的方法包括：加湿处理，作为电压施加的结果而在发射电子的电子发射膜的表面上吸附水分；以及电压施加处理，用于在经加湿的电子发射膜与面向该电子发射膜设置的电极之间施加老化电压。
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公开(公告)号：CN101469417A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200810188628.3
申请日：2008-12-25
Applicant: 日本财团法人高知县产业振兴中心 , 卡西欧计算机株式会社
IPC: C23C16/513 , C23C16/27 , H01J9/02
CPC classification number: C23C16/503 , C23C16/4586 , C23C16/463 , H01J37/32009 , H01J37/32541 , H01J2237/2001 , H01L21/67109
Abstract: 本发明公开了沉积设备和沉积方法，所述沉积设备包括：用于放置处理对象的第一电极；用于和第一电极产生等离子体的第二电极，第二电极和第一电极相对；和用于冷却处理对象的冷却部件，其中，在所述处理对象和所述冷却部件之间，与处理对象的中心部分和冷却部件之间的热阻相比，中心部分周围的周围部分和冷却部件之间的热阻较小。
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公开(公告)号：CN101463472A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200810185644.7
申请日：2008-12-17
Applicant: 日本财团法人高知县产业振兴中心 , 卡西欧计算机株式会社
IPC: C23C16/27 , C23C16/513 , H01J9/00
CPC classification number: C23C16/4586 , C23C16/463
Abstract: 本发明公开了沉积设备，其包括：用于放置处理对象的第一电极；用于和第一电极产生等离子体的第二电极，第二电极和第一电极相对；和热流控制传热部件，用于从处理对象吸收热量以产生从处理对象的中心区域到边界区域的热流。
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