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公开(公告)号:CN114630537B
公开(公告)日:2024-04-30
申请号:CN202111212678.2
申请日:2021-10-18
Applicant: 日本航空电子工业株式会社
Abstract: 本发明公开了一种器件及其形成方法。器件包括基本上包括由膜形成的第一膜的第一密封构件、第二密封构件、包括第一接触点的第一电路构件和包括第二接触点的第二电路构件。该器件形成有封闭空间,该封闭空间由第一密封构件和第二密封构件所围成且与器件外的外部空间隔绝。第一电路构件和第二电路构件被封闭在封闭空间中。第一密封构件和第二密封构件中的至少一个设有凹凸部。凹凸部与第一电路构件和第二电路构件中的至少一个接触,并覆盖与第一接触点和第二接触点中的至少一个相对应的预定区域。本发明整个器件的厚度可以做得非常薄。
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公开(公告)号:CN116546725A
公开(公告)日:2023-08-04
申请号:CN202310054984.0
申请日:2023-02-03
Applicant: 日本航空电子工业株式会社
Inventor: 上田真慈
Abstract: 本发明涉及一种装置,该装置包括第一电路构件、第二电路构件和第三电路构件。第一电路构件包括用于执行第一电路构件的功能的第一主体和形成有包括第一电极的第一集成电极部的第一柔性板。第二电路构件包括用于执行第二电路构件的功能的第二主体和形成有包括第二电极的第二集成电极部的第二柔性板。第三电路构件包括用于执行第三电路构件的功能的第三主体和形成有包括第三电极的第三集成电极部的第三柔性板。第一集成电极部、第二集成电极部和第三集成电极部沿上下方向彼此位于其上。沿上下方向观察时,第一主体、第二主体和第三主体是彼此分开的。
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公开(公告)号:CN115206896A
公开(公告)日:2022-10-18
申请号:CN202210324788.6
申请日:2022-03-30
Applicant: 日本航空电子工业株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/498
Abstract: 一种薄型电子设备,包括第一密封构件、第二密封构件、第一电路构件和第二电路构件。第一密封构件包括作为其基底的由薄膜形成的第一膜,并且包括由导体制成的导电部。该设备形成有封闭空间。封闭空间被第一密封构件和第二密封构件封闭,并与位于设备外部的外部空间隔断。第一电路构件与第二电路构件封闭于封闭空间内,并分别包括第一接触点与第二接触点。第一电路构件和第二电路构件中的至少一个包括电极。导电部与电极在封闭空间中接触,并且部分地暴露于位于设备外部的外部空间。本发明提供的设备具有更薄的厚度。
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公开(公告)号:CN114630537A
公开(公告)日:2022-06-14
申请号:CN202111212678.2
申请日:2021-10-18
Applicant: 日本航空电子工业株式会社
Abstract: 本发明公开了一种器件及其形成方法。器件包括基本上包括由膜形成的第一膜的第一密封构件、第二密封构件、包括第一接触点的第一电路构件和包括第二接触点的第二电路构件。该器件形成有封闭空间,该封闭空间由第一密封构件和第二密封构件所围成且与器件外的外部空间隔绝。第一电路构件和第二电路构件被封闭在封闭空间中。第一密封构件和第二密封构件中的至少一个设有凹凸部。凹凸部与第一电路构件和第二电路构件中的至少一个接触,并覆盖与第一接触点和第二接触点中的至少一个相对应的预定区域。本发明整个器件的厚度可以做得非常薄。
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公开(公告)号:CN113496964A
公开(公告)日:2021-10-12
申请号:CN202110072581.X
申请日:2021-01-20
Applicant: 日本航空电子工业株式会社
Inventor: 上田真慈
Abstract: 一种器件及器件的形成方法,该器件包括:第一膜,其具有第一内部,第一密封部分和第一接触部分;以及第二膜,其具有第二内部,第二密封部分和第二接触部分;具有第一接触点的第一电路构件;具有第二接触点的第二电路构件。第一密封部分和第二密封部分结合在一起。第一接触部分和第二接触部分在接触区域中彼此接触,该接触区域在第一内部和第二内部的整个边缘上围绕第一内部和第二内部。第一电路构件和第二电路构件封闭在被第一内部和第二内部包围的封闭空间。第一接触点和第二接触点彼此接触。本发明提供一种可以制作更薄的新型器件。
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公开(公告)号:CN115206896B
公开(公告)日:2025-03-04
申请号:CN202210324788.6
申请日:2022-03-30
Applicant: 日本航空电子工业株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/498
Abstract: 一种薄型电子设备,包括第一密封构件、第二密封构件、第一电路构件和第二电路构件。第一密封构件包括作为其基底的由薄膜形成的第一膜,并且包括由导体制成的导电部。该设备形成有封闭空间。封闭空间被第一密封构件和第二密封构件封闭,并与位于设备外部的外部空间隔断。第一电路构件与第二电路构件封闭于封闭空间内,并分别包括第一接触点与第二接触点。第一电路构件和第二电路构件中的至少一个包括电极。导电部与电极在封闭空间中接触,并且部分地暴露于位于设备外部的外部空间。本发明提供的设备具有更薄的厚度。
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公开(公告)号:CN113496964B
公开(公告)日:2024-12-10
申请号:CN202110072581.X
申请日:2021-01-20
Applicant: 日本航空电子工业株式会社
Inventor: 上田真慈
Abstract: 一种器件及器件的形成方法,该器件包括:第一膜,其具有第一内部,第一密封部分和第一接触部分;以及第二膜,其具有第二内部,第二密封部分和第二接触部分;具有第一接触点的第一电路构件;具有第二接触点的第二电路构件。第一密封部分和第二密封部分结合在一起。第一接触部分和第二接触部分在接触区域中彼此接触,该接触区域在第一内部和第二内部的整个边缘上围绕第一内部和第二内部。第一电路构件和第二电路构件封闭在被第一内部和第二内部包围的封闭空间。第一接触点和第二接触点彼此接触。本发明提供一种可以制作更薄的新型器件。
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公开(公告)号:CN115206892A
公开(公告)日:2022-10-18
申请号:CN202210326331.9
申请日:2022-03-30
Applicant: 日本航空电子工业株式会社
Abstract: 一种设备,包括第一密封构件、第二密封构件、第一电路构件和第二电路构件。第一密封构件基本上包括形成有开口的第一膜,并且包括框架膜。第一电路构件和第二电路构件中的至少一个包括暴露部和围绕暴露部的密封部。框架膜具有薄膜密封部和电路密封部。薄膜密封部接合到第一膜以围绕开口。电路密封部接合到密封部以围绕暴露部。该设备形成有由第一密封构件和第二密封构件封闭的封闭空间。暴露部暴露于位于设备外部的外部空间。该设备具有更薄的结构。
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