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公开(公告)号：CN117425752A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202180099091.7
申请日：2021-10-20
Applicant: 日本碍子株式会社
Inventor： 野崎史恭 , 松岛洁 , 吉川润
IPC: C30B29/36
Abstract: 提供一种基底面位错密度低且翘曲量小的SiC单晶基板的制造方法。该制造方法包括：将作为晶种的SiC单晶和SiC粉末层以相互接触的状态配置于容器内的工序；将容器配置于烧成炉内的被控制为设定温度±50℃以内的温度域的有效加热带来进行热处理，由此使SiC单晶在晶种上生长的工序。
