公开(公告)号：CN118591662A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202380015284.9

申请日：2023-01-18

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 野中健太朗 ,  前原宗太 ,  仓冈义孝 ,  今井克宏

IPC: C30B29/38 ,  C30B19/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明提供一种III族元素氮化物半导体基板，是具备第一面和第二面的III族元素氮化物半导体基板，能够抑制在该基板上形成的元件的特性偏差。本发明的实施方式的III族元素氮化物半导体基板为具备第一面和第二面的III族元素氮化物半导体基板，其中，该第一面的面内的电阻率的最小值为1×107cmΩ以上，该第一面的面内的电阻率的最小值为该第一面的面内的电阻率的最大值的0.01倍以上。

公开(公告)号：CN118632951A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202280089167.2

申请日：2022-10-14

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 野中健太朗 ,  田村贵洋 ,  前原宗太 ,  仓冈义孝

IPC: C30B29/38 ,  C30B25/20 ,  C23C16/34 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/208 ,  H01L29/80

Abstract: 针对具有13族元素氮化物单晶上的缓冲层、缓冲层上的厚度700nm以下的沟道层、以及沟道层上的势垒层的层叠体，抑制载流子面密度、载流子迁移率的降低。本层叠体1具备：13族元素氮化物单晶基板2，其由13族元素氮化物单晶构成，且具有第一主面2a及第二主面2b；缓冲层3，其设置在13族元素氮化物单晶基板2的第一主面2a上；沟道层4，其设置在缓冲层3上；以及势垒层5，其设置在沟道层4上。沟道层4的厚度为700nm以下，13族元素氮化物单晶基板2的第一主面2a的偏角为0.4°以上1.0°以下。

公开(公告)号：CN116981794A

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202280018157.X

申请日：2022-01-19

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 野中健太朗 ,  矶田佳范 ,  今井克宏

IPC: C23C14/34

Abstract: 本发明提供低氧浓度、在溅射时不易开裂、且基于溅射的成膜速度快的氮化镓系镓溅射靶。溅射靶1由氮化镓系结晶体2形成，该氮化镓系结晶体2由在针对规定面2a的法线方向上按c轴方位取向的多个氮化镓系单晶粒子3构成。氮化镓系结晶体2的总氧浓度为150质量ppm以下，氮化镓系单晶粒子3的氧浓度的基于动态SIMS法的测定值为2×1017cm‑3以上。

公开(公告)号：CN118632950A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202280071446.6

申请日：2022-10-28

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 今井克宏 ,  杉山智彦 ,  野中健太朗

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/20

Abstract: 本发明提供翘曲的发生得以抑制的III族元素氮化物基板。本发明的实施方式所涉及的III族元素氮化物基板为具有相互对置的第一主面及第二主面的III族元素氮化物基板，其中，在所述第一主面，位于中央部的第一部位的结晶性比位于比所述第一部位靠外侧的位置的第二部位的结晶性高。所述第二部位处的利用X射线衍射摇摆曲线测定得到的(10－12)面的衍射峰的半值宽度W2可以比所述第一部位处的利用X射线衍射摇摆曲线测定得到的(10－12)面的衍射峰的半值宽度W1宽。

公开(公告)号：CN118647758A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202280089166.8

申请日：2022-09-09

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 野中健太朗 ,  田村贵洋 ,  仓冈义孝

IPC: C30B29/38 ,  C30B19/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

Abstract: 即便使13族元素氮化物单晶基板上的外延生长层薄膜化，也能够将外延生长层的特性维持在较高水平。13族元素氮化物单晶基板2由13族元素氮化物单晶构成，且具有第一主面2a和第二主面2b。13族元素氮化物单晶基板2含有锌作为掺杂成分，第一主面2a的偏角为0.4°以上1.0°以下。

公开(公告)号：CN116348631A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202180069232.0

申请日：2021-07-12

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 仓冈义孝 ,  野中健太朗

IPC: C23C14/34

Abstract: 通过使13族元素氮化物结晶层以高培养速度生长，得到厚度较大的结晶层。在至少包含晶种层的基底基板上来培养13族元素氮化物结晶层。将基底基板浸渍于包含助熔剂的熔液中，通过助熔剂法，在晶种层的氮极性面上二维地培养13族元素氮化物结晶层。

公开(公告)号：CN116075608A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202180054550.X

申请日：2021-07-01

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 野中健太朗 ,  平尾崇行 ,  今井克宏

IPC: C30B19/02

Abstract: 本发明提供一种III族元素氮化物半导体基板，其是具备第一面和第二面的大口径的III族元素氮化物半导体基板，尽管是大口径，第一面内的品质的偏差也得以抑制。本发明的实施方式所涉及的III族元素氮化物半导体基板是具备第一面和第二面的III族元素氮化物半导体基板，其中，直径为100mm以上，基于该第一面的整个区域的范围的利用光致发光测定得到的光致发光光谱得到的、该第一面的整个区域的88％以上的范围内的黄色发光强度的变异系数为0.3以下。