公开(公告)号：CN1344037A

公开(公告)日：2002-04-10

申请号：CN01137289.3

申请日：2001-05-22

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 柴田智彦 ,  浅井圭一郎 ,  长井晃余 ,  田中光浩

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/20 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/105 ,  H01L33/007

Abstract: 在衬底上依次形成组成为AlaGabIncN(a+b+c=1,a、b、c≥0)的缓冲层和组成为AlxGayInzN(x+y+z=1,x、y、z≥0)的多层薄膜。缓冲层中铝含量最少部分的铝含量设定为至少大于多层薄膜最厚层处的铝含量。缓冲层的铝含量从衬底的一侧到多层薄膜的另一侧是连续地或逐步地降低的。

公开(公告)号：CN1193439C

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：CN01137289.3

申请日：2001-05-22

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 柴田智彦 ,  浅井圭一郎 ,  长井晃余 ,  田中光浩

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/20 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/105 ,  H01L33/007

Abstract: 在衬底上依次形成组成为AlaGabIncN(a+b+c＝1，a、b、c≥0)的缓冲层和组成为AlxGayInzN(x+y+z＝1，x、y、z≥0)的多层薄膜。缓冲层中铝含量最少部分的铝含量设定为至少大于多层薄膜最厚层处的铝含量。缓冲层的铝含量从衬底的一侧到多层薄膜的另一侧是连续地或逐步地降低的。

公开(公告)号：CN1316783A

公开(公告)日：2001-10-10

申请号：CN01116499.9

申请日：2001-03-23

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 柴田智彦 ,  浅井圭一郎 ,  长井晃余 ,  田中光浩

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/00 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L33/007 ,  Y10T428/12403

Abstract: 把在背面21b上形成高熔点金属膜22的蓝宝石衬底本体21导入MOCVD装置23中，通过基座24使高熔点金属膜与加热器25相对地在减压下形成AlxGayInzN膜27。成膜过程中，由于高熔点金属膜22吸收红外线，因而除通过接触的热传导之外，还可通过辐射有效地加热衬底本体，从而形成稳定的结晶性和平坦性良好的AlxGayInzN(x+y+z=1,x、y、z≥0)膜26～29。因对加热器25减轻了负载，加热器的寿命可延长，维护变得容易，从而降低了制造成本。