晶片载置台及其制法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111095521A

    公开(公告)日:2020-05-01

    申请号:CN201880056716.X

    申请日:2018-10-19

    Abstract: 本发明的晶片载置台(10),在具有晶片载置面(12a)的陶瓷基体(12)的内部,从离晶片载置面(12a)较近的一侧以与晶片载置面(12a)平行的方式埋设有第一电极(21)和第二电极(22)。晶片载置台(10)具备将第一电极(21)与第二电极(22)电导通的导通部(30)。导通部(30)是在第一电极(21)与第二电极(22)之间重叠多片与晶片载置面(12a)平行并由板状的金属网构成的圆形部件(32)而成。

    氧化铝烧结体
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101042993A

    公开(公告)日:2007-09-26

    申请号:CN200710089470.X

    申请日:2007-03-23

    CPC classification number: C04B35/101

    Abstract: 本发明的目的是降低在第1主面(SF1)和埋设电极(2)之间的氧化铝基体(1)上产生的裂纹的发生率。所采用的方法是,氧化铝烧结体具备:具有相对的第1主面和第2主面的氧化铝基体(1);在离第1主面(SF1)0.4毫米以下深度HD由埋设在氧化铝基体(1)内的金属构成的膜状的埋设电极(2);在比埋设电极(2)更靠第2主面(SF2)侧埋在氧化铝基体(1)内的金属做成的埋设端子(3)。埋设端子(3)与埋设电极(2)接触,埋设电极(2)的膜厚HE在25微米以下。

    氧化铝烧结体
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100593226C

    公开(公告)日:2010-03-03

    申请号:CN200710089470.X

    申请日:2007-03-23

    CPC classification number: C04B35/101

    Abstract: 本发明的目的是降低在第1主面(SF1)和埋设电极(2)之间的氧化铝基体(1)上产生的裂纹的发生率。所采用的方法是,氧化铝烧结体具备:具有相对的第1主面和第2主面的氧化铝基体(1);在离第1主面(SF1)0.4毫米以下深度HD由埋设在氧化铝基体(1)内的金属构成的膜状的埋设电极(2);在比埋设电极(2)更靠第2主面(SF2)侧埋在氧化铝基体(1)内的金属做成的埋设端子(3)。埋设端子(3)与埋设电极(2)接触,埋设电极(2)的膜厚HE在25微米以下。

    带加热器的静电吸盘以及带加热器的静电吸盘的制造方法

    公开(公告)号:CN100568482C

    公开(公告)日:2009-12-09

    申请号:CN200710146598.5

    申请日:2007-08-22

    CPC classification number: H01L21/6831 Y10T279/23

    Abstract: 本发明提供吸附特性、热均匀性和耐绝缘破坏性优良的带加热器的静电吸盘。带加热器的静电吸盘(1)具备由包含氧化铝的烧结体做成的基体(2)、在基体中的上侧设置的ESC电极(3)、埋在基体中的下侧而设置的电阻发热体(4),基体由从ESC电极到基体的上表面(2a)的电介质层(21)、从ESC电极到基体的下表面(2b)的支撑部件(22)构成。支撑部件在与电介质层相接的ESC电极附近区域(22a)和比该ESC电极附近区域(22a)更下方的下方区域(22b)的碳含量不同,电介质层中的碳含量在100wtppm以下,ESC电极附近区域的碳含量在0.13wt%以下,下方区域的碳含量在0.03wt%以上,并且,该ESC电极附近区域的碳含量比下方区域的碳含量更小。电阻发热体(4)含有铌或铂。

    带加热器静电卡盘
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101110383A

    公开(公告)日:2008-01-23

    申请号:CN200710136117.2

    申请日:2007-07-18

    CPC classification number: H01L21/6831 H01L21/68757

    Abstract: 本发明提供一种带加热器静电卡盘,具备:由包含氧化铝的烧结体构成的基体;设在该基体中的上部侧的电极;以及埋设在基体中的下部侧的电阻发热体,上述基体包括从电极到基体上表面的电介质层和从电极到基体下表面的支撑部件。该带加热器静电卡盘的特征在于,上述电介质层中的含碳量为100ppm以下,上述支撑部件中的含碳量为0.03~0.25wt%,上述电阻发热体形成为线圈状且主要成分为铌。

    晶片载置台及其制法
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111095521B

    公开(公告)日:2023-03-28

    申请号:CN201880056716.X

    申请日:2018-10-19

    Abstract: 本发明的晶片载置台(10),在具有晶片载置面(12a)的陶瓷基体(12)的内部,从离晶片载置面(12a)较近的一侧以与晶片载置面(12a)平行的方式埋设有第一电极(21)和第二电极(22)。晶片载置台(10)具备将第一电极(21)与第二电极(22)电导通的导通部(30)。导通部(30)是在第一电极(21)与第二电极(22)之间重叠多片与晶片载置面(12a)平行并由板状的金属网构成的圆形部件(32)而成。

    带加热器静电卡盘
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101110383B

    公开(公告)日:2010-04-14

    申请号:CN200710136117.2

    申请日:2007-07-18

    CPC classification number: H01L21/6831 H01L21/68757

    Abstract: 本发明提供一种带加热器静电卡盘,具备:由包含氧化铝的烧结体构成的基体;设在该基体中的上部侧的电极;以及埋设在基体中的下部侧的电阻发热体,上述基体包括从电极到基体上表面的电介质层和从电极到基体下表面的支撑部件。该带加热器静电卡盘的特征在于,上述电介质层中的含碳量为100ppm以下,上述支撑部件中的含碳量为0.03~0.25wt%,上述电阻发热体形成为线圈状且主要成分为铌。

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