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公开(公告)号：CN101301589B
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN200810087032.4
申请日：2002-09-17
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明提供DDR型沸石膜复合物，其特征在于：所述DDR型沸石膜复合物具备多孔基质和沉积于基质微孔内的DDR型沸石层，该DDR型沸石层的厚度为所述多孔基质的平均微孔径的5-50倍；所述DDR型沸石层由DDR型沸石构成，沉积于所述多孔基质的至少一侧表面的微孔内。
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公开(公告)号：CN1824376A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200610005958.5
申请日：2002-09-17
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: B01D71/02
Abstract: 本发明提供DDR型沸石膜，其特征在于：在基质上成膜，膜的主要成分为二氧化硅，同时选自二氧化碳(CO2)、氢(H2)、氧(O2)、氮(N2)、甲烷(CH4)、正丁烷(n－C4H10)、异丁烷(i－C4H10)、六氟化硫(SF6)、乙烷(C2H6)、乙烯(C2H4)、丙烷(C3H8)、丙烯(C3H6)、一氧化碳(CO)以及一氧化氮(NO)的至少2种气体分别在室温和100℃的单一成分气体透过率在上述至少2种气体间彼此不同。
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公开(公告)号：CN100393399C
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200610005958.5
申请日：2002-09-17
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: B01D71/02
Abstract: 本发明提供DDR型沸石膜，其特征在于：在基质上成膜，膜的主要成分为二氧化硅，同时选自二氧化碳(CO2)、氢(H2)、氧(O2)、氮(N2)、甲烷(CH4)、正丁烷(n-C4H10)、异丁烷(i-C4H10)、六氟化硫(SF6)、乙烷(C2H6)、乙烯(C2H4)、丙烷(C3H8)、丙烯(C3H6)、一氧化碳(CO)以及一氧化氮(NO)的至少2种气体分别在室温和100℃的单一成分气体透过率在上述至少2种气体间彼此不同。
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公开(公告)号：CN1331657A
公开(公告)日：2002-01-16
申请号：CN99814350.2
申请日：1999-10-08
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C01B39/02
CPC classification number: C01B39/02 , B01D67/0083 , B01D69/10 , B01D71/028
Abstract: 一种由具有与欲在其上形成分子筛膜相同或相似的组成且含有与被涂敷的分子筛含有的相同模板剂的分子筛所制成的多孔基质。将该被涂敷的基质焙烧以同时除去该分子筛涂层和该多孔基质中的模板剂。由此形成由该多孔基质和在其上形成的分子筛膜组成的分子筛复合膜。由于该分子筛膜已被调整,以表现出与该多孔基质几乎相同的热膨胀行为,因此该分子筛膜不产生裂缝。
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公开(公告)号：CN100506362C
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN02822549.X
申请日：2002-09-17
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: B01D69/10 , B01D53/228 , B01D67/0051 , B01D69/12 , B01D71/028 , B01D2323/12 , Y10S55/05
Abstract: 本发明提供DDR型沸石膜，其特征在于：在基质上成膜，膜的主要成分为二氧化硅，同时选自二氧化碳(CO2)、氢(H2)、氧(O2)、氮(N2)、甲烷(CH4)、正丁烷(n-C4H10)、异丁烷(i-C4H10)、六氟化硫(SF6)、乙烷(C2H6)、乙烯(C2H4)、丙烷(C3H8)、丙烯(C3H6)、一氧化碳(CO)以及一氧化氮(NO)的至少2种气体分别在室温和100℃的单一成分气体透过率在上述至少2种气体间彼此不同。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101400605A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200780008881.X
申请日：2007-02-15
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: C01B39/48 , B01D53/228 , B01D67/0051 , B01D69/125 , B01D71/028 , B01D2323/12
Abstract: 一种DDR型沸石膜的制造方法，其为将多孔基体浸渍于包含了1－金刚烷胺、二氧化硅和水的原料溶液中，在存在DDR型沸石晶种(晶种)的情况下，水热合成DDR型沸石，由此在多孔基材表面形成DDR型沸石膜的方法，其中，1－金刚烷胺和二氧化硅的含有比例(1－金刚烷胺/二氧化硅)为0.002至0.4摩尔比，而水和二氧化硅的含有比例(水/二氧化硅)为10至500摩尔比，晶种的平均粒径为300nm以下。本发明提供了一种DDR型沸石膜的制造方法，其能够稳定地制造膜厚均匀、薄且气体透过量高的DDR型沸石膜。
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公开(公告)号：CN1585670A
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：CN02822549.X
申请日：2002-09-17
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: B01D69/10 , B01D53/228 , B01D67/0051 , B01D69/12 , B01D71/028 , B01D2323/12 , Y10S55/05
Abstract: 本发明提供DDR型沸石膜，其特征在于：在基质上成膜，膜的主要成分为二氧化硅，同时选自二氧化碳(CO2)、氢(H2)、氧(O2)、氮(N2)、甲烷(CH4)、正丁烷(n－C4H10)、异丁烷(i－C4H10)、六氟化硫(SF6)、乙烷(C2H6)、乙烯(C2H4)、丙烷(C3H8)、丙烯(C3H6)、一氧化碳(CO)以及一氧化氮(NO)的至少2种气体分别在室温和100℃的单一成分气体透过率在上述至少2种气体间彼此不同。
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公开(公告)号：CN101400605B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200780008881.X
申请日：2007-02-15
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: C01B39/48 , B01D53/228 , B01D67/0051 , B01D69/125 , B01D71/028 , B01D2323/12
Abstract: 一种DDR型沸石膜的制造方法，其为将多孔基体浸渍于包含了1-金刚烷胺、二氧化硅和水的原料溶液中，在存在DDR型沸石晶种(晶种)的情况下，水热合成DDR型沸石，由此在多孔基材表面形成DDR型沸石膜的方法，其中，1-金刚烷胺和二氧化硅的含有比例(1-金刚烷胺/二氧化硅)为0.002至0.4摩尔比，而水和二氧化硅的含有比例(水/二氧化硅)为10至500摩尔比，晶种的平均粒径为300nm以下。本发明提供了一种DDR型沸石膜的制造方法，其能够稳定地制造膜厚均匀、薄且气体透过量高的DDR型沸石膜。
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公开(公告)号：CN100528308C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200480031568.4
申请日：2004-08-26
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: B01D53/22 , B01D53/228 , B01D67/0046 , B01D67/0051 , B01D67/0083 , B01D69/105 , B01D69/12 , B01D71/025 , B01D71/028 , B01D2323/08 , Y02C10/08 , Y02C10/10
Abstract: 本发明的气体分离体的结构是，设有由第1陶瓷构成的多孔底材和设在其表面上的含有沸石的气体分离层，该气体分离层除沸石外还含有由具有满足规定的关系的线热膨胀系数的第2陶瓷构成的热膨胀率调整材，可以减小其与多孔底材之间的热膨胀率差。本发明的气体分离体特别适用于从天然气等的混合气体中选择性地分离二氧化碳(CO2)等场合。
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公开(公告)号：CN101301589A
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200810087032.4
申请日：2002-09-17
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明提供DDR型沸石膜复合物，其特征在于：所述DDR型沸石膜复合物具备多孔基质和沉积于基质微孔内的DDR型沸石层，该DDR型沸石层的厚度为所述多孔基质的平均微孔径的5－50倍；所述DDR型沸石层由DDR型沸石构成，沉积于所述多孔基质的至少一侧表面的微孔内。
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