公开(公告)号：CN113166960B

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN201980081177.X

申请日：2019-12-03

Applicant: 日本电解株式会社

Inventor： 川崎利雄 ,  小沼刚 ,  远藤安浩

IPC: C25D1/04 ,  C25D1/00 ,  H01M4/66

Abstract: 本发明提供一种具有更高导电率的电解铜箔及其制造方法。本发明的电解铜箔中，碳含量为5ppm以下，硫含量为3ppm以下，氧含量为5ppm以下，氮含量为0.5ppm以下，并且碳、硫、氧、氮及氢的总含量为15ppm以下，晶粒数为8.0～12.0个/μm2，并且通过在150℃下对电解铜箔加热1小时，所述晶粒数变为0.6～1.0个/μm2。所述电解铜箔的制造方法包括：清洗工序，清洗铜原料；溶解工序，溶解所述清洗后的铜原料得到总有机碳量(TOC)为10ppm以下的电解液；以及电解工序，通过电解该电解液来得到电解铜箔。

公开(公告)号：CN113166960A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201980081177.X

申请日：2019-12-03

Applicant: 日本电解株式会社

Inventor： 川崎利雄 ,  小沼刚 ,  远藤安浩

IPC: C25D1/04 ,  C25D1/00 ,  H01M4/66

Abstract: 本发明提供一种具有更高导电率的电解铜箔及其制造方法。本发明的电解铜箔中，碳含量为5ppm以下，硫含量为3ppm以下，氧含量为5ppm以下，氮含量为0.5ppm以下，并且碳、硫、氧、氮及氢的总含量为15ppm以下，晶粒数为8.0～12.0个/μm2，并且通过在150℃下对电解铜箔加热1小时，所述晶粒数变为0.6～1.0个/μm2。所述电解铜箔的制造方法包括：清洗工序，清洗铜原料；溶解工序，溶解所述清洗后的铜原料得到总有机碳量(TOC)为10ppm以下的电解液；以及电解工序，通过电解该电解液来得到电解铜箔。