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公开(公告)号：CN103121791A
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201310013917.0
申请日：2009-01-19
Applicant: 日本电气硝子株式会社
CPC classification number: C03B17/067 , C03B25/025 , C03C3/091 , G02F2001/133302 , Y02P40/57 , Y10T428/24355
Abstract: 本发明提供一种通过下拉法直接制造可以用于低温p-SiTFT基板用途的玻璃基板的方法、以及利用该方法得到的玻璃基板。该玻璃基板的制造方法包括下述工序：成型工序，其利用下拉法将熔融玻璃成型为带状；退火工序，其对玻璃带进行退火；以及切割工序，其切割玻璃带而得到玻璃基板，该玻璃基板的制造方法的特征在于：在退火工序中，使得从退火点至（退火点－50°C）为止的平均冷却速度与从（退火点+100°C）至退火点为止的平均冷却速度相比较低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103121792A
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201310014831.X
申请日：2009-01-19
Applicant: 日本电气硝子株式会社
IPC: C03B25/00
CPC classification number: C03B17/067 , C03B25/025 , C03C3/091 , G02F2001/133302 , Y02P40/57 , Y10T428/24355
Abstract: 本发明提供一种通过下拉法直接制造可以用于低温p-SiTFT基板用途的玻璃基板的方法、以及利用该方法得到的玻璃基板。该玻璃基板的制造方法包括下述工序：成型工序，其利用下拉法将熔融玻璃成型为带状；退火工序，其对玻璃带进行退火；以及切割工序，其切割玻璃带而得到玻璃基板，该玻璃基板的制造方法的特征在于：在退火工序中，使得从退火点至（退火点－50°C）为止的平均冷却速度与从（退火点+100°C）至退火点为止的平均冷却速度相比较低。
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公开(公告)号：CN103121791B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201310013917.0
申请日：2009-01-19
Applicant: 日本电气硝子株式会社
CPC classification number: C03B17/067 , C03B25/025 , C03C3/091 , G02F2001/133302 , Y02P40/57 , Y10T428/24355
Abstract: 本发明提供一种通过下拉法直接制造可以用于低温p?SiTFT基板用途的玻璃基板的方法、以及利用该方法得到的玻璃基板。该玻璃基板的制造方法包括下述工序：成型工序，其利用下拉法将熔融玻璃成型为带状；退火工序，其对玻璃带进行退火；以及切割工序，其切割玻璃带而得到玻璃基板，该玻璃基板的制造方法的特征在于：在退火工序中，使得从退火点至（退火点－50°C）为止的平均冷却速度与从（退火点+100°C）至退火点为止的平均冷却速度相比较低。
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公开(公告)号：CN101925546B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN200980102731.4
申请日：2009-01-19
Applicant: 日本电气硝子株式会社
IPC: C03B17/06 , C03C3/091 , G02F1/1333
CPC classification number: C03B17/067 , C03B25/025 , C03C3/091 , G02F2001/133302 , Y02P40/57 , Y10T428/24355
Abstract: 本发明提供一种通过下拉法直接制造可以用于低温p-SiTFT基板用途的玻璃基板的方法、以及利用该方法得到的玻璃基板。该玻璃基板的制造方法包括下述工序：成型工序，其利用下拉法将熔融玻璃成型为带状；退火工序，其对玻璃带进行退火；以及切割工序，其切割玻璃带而得到玻璃基板，该玻璃基板的制造方法的特征在于：在退火工序中，使得从退火点至(退火点-50℃)为止的平均冷却速度与从(退火点+100℃)至退火点为止的平均冷却速度相比较低。
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公开(公告)号：CN103121792B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201310014831.X
申请日：2009-01-19
Applicant: 日本电气硝子株式会社
IPC: C03B25/00
CPC classification number: C03B17/067 , C03B25/025 , C03C3/091 , G02F2001/133302 , Y02P40/57 , Y10T428/24355
Abstract: 本发明提供一种通过下拉法直接制造可以用于低温p-SiTFT基板用途的玻璃基板的方法、以及利用该方法得到的玻璃基板。该玻璃基板的制造方法包括下述工序：成型工序，其利用下拉法将熔融玻璃成型为带状；退火工序，其对玻璃带进行退火；以及切割工序，其切割玻璃带而得到玻璃基板，该玻璃基板的制造方法的特征在于：在退火工序中，使得从退火点至（退火点-50℃）为止的平均冷却速度与从（退火点+100℃）至退火点为止的平均冷却速度相比较低。
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公开(公告)号：CN101925546A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200980102731.4
申请日：2009-01-19
Applicant: 日本电气硝子株式会社
IPC: C03B17/06 , C03C3/091 , G02F1/1333
CPC classification number: C03B17/067 , C03B25/025 , C03C3/091 , G02F2001/133302 , Y02P40/57 , Y10T428/24355
Abstract: 本发明提供一种通过下拉法直接制造可以用于低温p-SiTFT基板用途的玻璃基板的方法、以及利用该方法得到的玻璃基板。该玻璃基板的制造方法包括下述工序：成型工序，其利用下拉法将熔融玻璃成型为带状；退火工序，其对玻璃带进行退火；以及切割工序，其切割玻璃带而得到玻璃基板，该玻璃基板的制造方法的特征在于：在退火工序中，使得从退火点至(退火点-50℃)为止的平均冷却速度与从(退火点+100℃)至退火点为止的平均冷却速度相比较低。
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