公开(公告)号：CN100461419C

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN03816386.1

申请日：2003-07-03

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 松寺久雄 ,  沼田秀昭

IPC: H01L27/105 ,  H01L43/08 ,  G11C11/15

CPC classification number: H01L27/222 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/16 ,  H01F10/3272

Abstract: 本发明提供了一种使MRAM的存储单元的偏置磁场更有效地减少的技术。根据本发明的MRAM包括：具有能反转的自由自发磁化的自由层(11)；具有固定自发磁化的固定层(6)；和由非磁性体形成，插在所述自由层(11)和所述固定层(6)之间的间隔层(10)。形成固定层(6)，以便实质上使桔皮效应和静磁耦合效应不影响自由层(11)。

公开(公告)号：CN1669147A

公开(公告)日：2005-09-14

申请号：CN03816386.1

申请日：2003-07-03

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 松寺久雄 ,  沼田秀昭

IPC: H01L27/105 ,  H01L43/08 ,  G11C11/15

CPC classification number: H01L27/222 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/16 ,  H01F10/3272

Abstract: 本发明提供了一种使MRAM的存储单元的偏置磁场更有效地减少的技术。根据本发明的MRAM包括：具有能反转的自由自发磁化的自由层(11)；具有固定自发磁化的固定层(6)；和由非磁性体形成，插在所述自由层(11)和所述固定层(6)之间的间隔层(10)。形成固定层(6)，以便实质上使桔皮效应和静磁耦合效应不影响自由层(11)。