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发明公开
使用离子注入制造半导体器件的方法失效转让

公开(公告)号：CN1219756A

公开(公告)日：1999-06-16

申请号：CN98122790.2

申请日：1998-12-03

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 峰地辉 , 狮子口清一 , 斋藤修一

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01L29/6659 , H01L21/26506 , H01L21/26513

Abstract: 提供一种半导体器件的制造方法,使形成带双漏结构的MOSFET的源/漏区的浅外延成为可能。在步骤(a)中形成栅极;在步骤(b)中,将第二导电型的掺杂物离子注入衬底中,形成第一和第二掺杂区。在步骤(c)中,形成一对侧壁间隔层;在步骤(d)中,将第二导电型的掺杂物离子注入衬底中,形成第三和第四掺杂区;在步骤(e)中,对衬底进行退火处理,从而用第一和第三掺杂区构成具有双漏结构的一对源/漏区中的一个,用第二和第四掺杂区构成源/漏区中的另一个。

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