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公开(公告)号:CN102472786B
公开(公告)日:2014-09-03
申请号:CN201080030843.6
申请日:2010-05-18
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: G01R29/08 , G01R31/302
CPC classification number: G01R31/311 , G01R15/245
Abstract: 提供一种电磁场测量设备,用于以高灵敏度测量其中密集封装了电子器件的极小区域中的电磁场。在根据本发明的电磁场测量设备中,基于从计算控制单元(40)供应的振幅水平控制信号(eb),通过调整检偏器(34)相对于信号光(pf)的偏振面的角度而由检偏器(34)调整信号光(pf)的振幅水平。基于由RF频谱分析器(39)测量的电信号(ed)的频谱(ea)将振幅水平控制信号(eb)从计算控制单元(40)供应到检偏器(34)。将包含在入射到光接收器(38)上的信号光(ph)中的载波和边带之间的振幅水平比控制为固定值。
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公开(公告)号:CN102472786A
公开(公告)日:2012-05-23
申请号:CN201080030843.6
申请日:2010-05-18
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: G01R29/08 , G01R31/302
CPC classification number: G01R31/311 , G01R15/245
Abstract: 提供一种电磁场测量设备,用于以高灵敏度测量其中密集封装了电子器件的极小区域中的电磁场。在根据本发明的电磁场测量设备中,基于从计算控制单元(40)供应的振幅水平控制信号(eb),通过调整检偏器(34)相对于信号光(pf)的偏振面的角度而由检偏器(34)调整信号光(pf)的振幅水平。基于由RF频谱分析器(39)测量的电信号(ed)的频谱(ea)将振幅水平控制信号(eb)从计算控制单元(40)供应到检偏器(34)。将包含在入射到光接收器(38)上的信号光(ph)中的载波和边带之间的振幅水平比控制为固定值。
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