公开(公告)号：CN1100342C

公开(公告)日：2003-01-29

申请号：CN98119320.X

申请日：1998-09-11

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 林俊哉 ,  浜田耕治 ,  西尾直治 ,  三好康介 ,  斋藤修一

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01L29/6609 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/266 ,  H01L21/324

Abstract: 当制造半导体器件时，对半导体衬底进行高能离子注入。随后退火离子注入的半导体衬底，当通过以至少200℃/秒的直线上升速率从1000℃到1，200℃的温度加热衬底进行时，可以提供具有减小变化(σ/X)的较小漏电流的半导体器件。因此本发明提供一种半导体器件的制造工艺，当进行高能离子注入时，具有漏电流较小和漏电流变化减小的特点。

公开(公告)号：CN1078741C

公开(公告)日：2002-01-30

申请号：CN96109307.2

申请日：1996-08-16

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 三好康介

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/3213

Abstract: 本发明公开了一种通过对一层金属布线薄膜或者对由一层金属布线薄膜和一层金属势垒薄膜组成的叠层结构进行干法刻蚀从而在半导体衬底上形成金属布线的方法，它包括第一步对金属布线薄膜进行的刻蚀和第二步干法刻蚀对金属布线薄膜或金属势垒薄膜进行的再刻蚀，它们所处的刻蚀条件是使第二步干法刻蚀中在刻蚀反应室内的气体驻留时间短于第一步刻蚀中的气体驻留时间。

公开(公告)号：CN1211815A

公开(公告)日：1999-03-24

申请号：CN98119320.X

申请日：1998-09-11

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 林俊哉 ,  浜田耕治 ,  西尾直治 ,  三好康介 ,  斋藤修一

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L29/6609 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/266 ,  H01L21/324

Abstract: 当制造半导体器件时,对半导体衬底进行高能离子注入。随后退火离子注入的半导体衬底,当通过以至少200℃/秒的直线上升速率从1000℃到1,200℃的温度加热衬底进行时,可以提供具有减小变化(σ/X)的较小漏电流的半导体器件。因此本发明提供一种半导体器件的制造工艺,当进行高能离子注入时,具有漏电流较小和漏电流变化减小的特点。

公开(公告)号：CN1147692A

公开(公告)日：1997-04-16

申请号：CN96109307.2

申请日：1996-08-16

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 三好康介

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/3213

Abstract: 本发明公开了一种通过对一层金属布线薄膜或者对由一层金属布线薄膜和一层金属势垒薄膜组成的叠层结构进行干法刻蚀从而在半导体衬底上形成金属布线的方法，它包括第一步对金属布线薄膜进行的刻蚀和第二步干法刻蚀对金属布线薄膜或金属势垒薄膜进行的再刻蚀，它们所处的刻蚀条件是使第二步干法刻蚀中在刻蚀反应室内的气体驻留时间短于第一步刻蚀中的气体驻留时间。