公开(公告)号：CN1324772C

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN03107531.2

申请日：2003-03-26

Applicant: 日本电信电话株式会社

Inventor： 松冈隆志 ,  冈本浩

IPC: H01S5/00 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/08 ,  H01L27/153 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明的一种半导体发光器件至少包括：一层形成在衬底上的覆层，一个在第一覆层上形成的，并包括由In1-X-YGaXAlYN(0≤X，Y≤1，0≤X+Y＜1)材料制成的激活层的光发射结构，和一层在光发射结构上形成的第二覆层。激活层是由一种具有小俄歇效应，并在环境温度下，对其带隙有较少依赖性的InN材料制成的。

公开(公告)号：CN1490644A

公开(公告)日：2004-04-21

申请号：CN03158879.4

申请日：2003-09-16

Applicant: 日本电信电话株式会社

Inventor： 松冈隆志 ,  深野秀树

IPC: G02F1/025 ,  G02B6/12 ,  G02B6/42 ,  H01S3/10 ,  H04B10/04

CPC classification number: B82Y20/00 ,  G02F1/01725 ,  G02F2001/01766 ,  G02F2202/101 ,  H01S5/0265

Abstract: 在本发明的半导体光调制器中，用作光吸收层的量子阱结构的每个量子阱层和每个势垒层分别由In1－X－YGaXAlYN(0≤X，Y≤1，0≤X+Y≤1)和In1－X′－Y′GaX′AlY′N(0≤X′，Y′≤1，0≤X′+Y′≤1)构成。通过自发极化，在光吸收层中产生电场。

公开(公告)号：CN1288764C

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN03158879.4

申请日：2003-09-16

Applicant: 日本电信电话株式会社

Inventor： 松冈隆志 ,  深野秀树

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/02

CPC classification number: B82Y20/00 ,  G02F1/01725 ,  G02F2001/01766 ,  G02F2202/101 ,  H01S5/0265

Abstract: 在本发明的半导体光调制器中，用作光吸收层的量子阱结构的每个量子阱层和每个势垒层分别由In1-X-YGaXAlYN(0≤X，Y≤1，0≤X+Y≤1)和In1-X′-Y′GaX′AlY′N(0≤X′，Y′≤1，0≤X′+Y′≤1)构成。通过自发极化，在光吸收层中产生电场。

公开(公告)号：CN1467888A

公开(公告)日：2004-01-14

申请号：CN03107531.2

申请日：2003-03-26

Applicant: 日本电信电话株式会社

Inventor： 松冈隆志 ,  冈本浩

IPC: H01S5/00 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/08 ,  H01L27/153 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明的一种半导体发光器件至少包括：一层形成在衬底上的覆层，一个在第一覆层上形成的,并包括由In1－X－YGaXAlYN(0≤X，Y≤1，0≤X+Y＜1)材料制成的激活层的光发射结构，和一层在光发射结构上形成的第二覆层。激活层是由一种具有小俄歇效应，并在环境温度下，对其带隙有较少依赖性的InN材料制成的。