公开(公告)号：CN109084670A

公开(公告)日：2018-12-25

申请号：CN201810595920.0

申请日：2018-06-11

Applicant: 日本电产三协株式会社

Inventor： 水嵜康史 ,  森山克也 ,  神户隼平

IPC: G01B7/00

Abstract: 本发明提供一种能够抑制从底板侧对形成于磁性涂膜的永磁体层的磁影响的磁尺及磁性编码器。用于磁性编码器的磁尺(9)具有底板(95)和形成于底板(95)的一面(950)侧的磁性涂膜(96)，磁性涂膜(96)的至少与底板(95)相反一侧的层形成为沿着底板(95)的长度方向交替设置有N极和S极的永磁体层(97)。相对于永磁体层(97)在底板(95)所在的一侧设有对从底板(95)侧向永磁体层(97)侧的磁影响进行缓和的厚度300μm以上的缓冲层(90)。例如，底板(95)是厚度为300μm以上的非磁性基板，缓冲层(90)由底板(95)构成。

公开(公告)号：CN208366269U

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：CN201820908547.5

申请日：2018-06-11

Applicant: 日本电产三协株式会社

Inventor： 水嵜康史 ,  森山克也 ,  神户隼平

IPC: G01B7/00

Abstract: 本实用新型提供一种能够抑制从底板侧对形成于磁性涂膜的永磁体层的磁影响的磁尺及磁性编码器。用于磁性编码器的磁尺(9)具有底板(95)和形成于底板(95)的一面(950)侧的磁性涂膜(96)，磁性涂膜(96)的至少与底板(95)相反一侧的层形成为沿着底板(95)的长度方向交替设置有N极和S极的永磁体层(97)。相对于永磁体层(97)在底板(95)所在的一侧设有对从底板(95)侧向永磁体层(97)侧的磁影响进行缓和的厚度300μm以上的缓冲层(90)。例如，底板(95)是厚度为300μm以上的非磁性基板，缓冲层(90)由底板(95)构成。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利