公开(公告)号：CN1607054B

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN200410078919.9

申请日：2004-09-16

Applicant: 日本新金属株式会社

Inventor： 茨木正之 ,  岩本贤治

IPC: B22F3/14 ,  C23C14/34

CPC classification number: C22C27/04 ,  B22F2998/00 ,  C22C1/045 ,  C23C14/3414 ,  B22F3/15

Abstract: 高纯金属Mo粗粉与由其制得的烧结溅射靶提供一种供形成具有极少颗粒产生的高纯金属Mo薄膜的烧结溅射靶以及一种适用于作为原料粉制得这种靶的高纯金属Mo粗粉。通过烧结经由进行HIP处理的该高纯金属Mo粗粉，便得到该理论密度比率为98％或以上的烧结溅射靶，其中这种颗粒粉按质量有高达99.99％或以上的纯度和按Fischer法有5.5至7.5μm的平均颗粒直径。

公开(公告)号：CN1607054A

公开(公告)日：2005-04-20

申请号：CN200410078919.9

申请日：2004-09-16

Applicant: 日本新金属株式会社

Inventor： 茨木正之 ,  岩本贤治

IPC: B22F3/14 ,  C23C14/34

CPC classification number: C22C27/04 ,  B22F2998/00 ,  C22C1/045 ,  C23C14/3414 ,  B22F3/15

Abstract: 提供一种供形成具有极少颗粒产生的高纯金属Mo薄膜的烧结溅射靶以及一种适用于作为原料粉制得这种靶的高纯金属Mo粗粉。通过烧结经由进行HIP处理的该高纯金属Mo粗粉，便得到该理论密度比率为98％或以上的烧结溅射靶，其中这种颗粒粉按质量有高达99.99％或以上的纯度和按Fischer法有5.5至7.5μm的平均颗粒直径。