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发明公开
InP量子点前体的制造方法和InP系量子点的制造方法无效

公开(公告)号：CN113905980A

公开(公告)日：2022-01-07

申请号：CN202080038903.2

申请日：2020-03-26

Applicant: 日本化学工业株式会社

Inventor： 中对一博 , 续石大气 , 坂上知

IPC: C01B19/00 , C01B25/08 , C09K11/08 , C09K11/70 , C09K11/71 , C09K11/74 , C09K11/75 , B82Y20/00 , B82Y40/00

Abstract: 本发明为InP量子点前体的制造方法，是从磷源和铟源制造InP量子点前体的方法，其中，作为磷源，使用下述式(2)所示的化合物的含量为0.3摩尔％以下的下述式(1)所示的硅烷基膦化合物。并且，本发明还提供InP系量子点的制造方法，其中，将InP量子点前体以200℃以上350℃以下的温度进行加热，得到InP量子点。(R的定义参照说明书。)

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