公开(公告)号：CN1717366A

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN200480001599.5

申请日：2004-06-28

Applicant: 日本化学工业株式会社

Inventor： 石川贤一 ,  横井敬三 ,  竹内宏介 ,  栗田裕 ,  内山平二

IPC: C01B25/238 ,  C01B25/20

CPC classification number: C01B25/18 ,  C01B25/234

Abstract: 本发明涉及一种高纯度磷酸，其特征在于，将H3PO4的浓度换算为85重量％时，杂质含量为，Sb在200ppb以下，且二价硫离子在200ppb以下。本发明的高纯度磷酸作为具有氮化硅膜的半导体元件的蚀刻液、具有氧化铝膜的液晶显示器的蚀刻液、金属铝蚀刻液、陶瓷用氧化铝蚀刻液、光纤玻璃用磷酸玻璃原料、食品添加剂等有很好的效果。

公开(公告)号：CN100340474C

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200480001599.5

申请日：2004-06-28

Applicant: 日本化学工业株式会社

Inventor： 石川贤一 ,  横井敬三 ,  竹内宏介 ,  栗田裕 ,  内山平二

IPC: C01B25/238 ,  C01B25/20

CPC classification number: C01B25/18 ,  C01B25/234

Abstract: 本发明涉及一种高纯度磷酸，其特征在于，将H3PO4的浓度换算为85重量%时，杂质含量为，Sb在200ppb以下，且二价硫离子在200ppb以下。本发明的高纯度磷酸作为具有氮化硅膜的半导体元件的蚀刻液、具有氧化铝膜的液晶显示器的蚀刻液、金属铝蚀刻液、陶瓷用氧化铝蚀刻液、光纤玻璃用磷酸玻璃原料、食品添加剂等有很好的效果。