公开(公告)号：CN1168118C

公开(公告)日：2004-09-22

申请号：CN99101731.5

申请日：1999-01-29

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 桐村浩哉 ,  绪方洁

IPC: H01L21/00

CPC classification number: C30B25/105 ,  C23C16/24 ,  C23C16/402 ,  C23C16/54 ,  C30B29/06

Abstract: 一种成膜设备，包括用于在基片上形成结晶硅薄膜的形成硅薄膜的真空室；为该真空室而装备的成膜装置，以在所述基片的目标表面上形成结晶硅薄膜的预制膜；以及为该真空室而装备的能量束辐照装置，以便用能量束辐照所述预制膜使之结晶。该成膜设备制得的结晶硅薄膜作为TFT等的半导体薄膜具有良好的质量和良好的生产率。

公开(公告)号：CN1141735C

公开(公告)日：2004-03-10

申请号：CN99126970.5

申请日：1999-12-22

Applicant: 夏普株式会社 ,  日新电机株式会社

Inventor： 土本修平 ,  田仲広久 ,  緖方潔 ,  桐村浩哉

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C30B25/105 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明揭示一种结晶性硅系列半导体薄膜的制造方法，是在基板(S)上形成结晶性硅系列半导体薄膜，该方法包括在基板(S)附近至少形成包含硅系列气体的膜原料气体的等离子体(P)、并在基板(S)上形成硅主体的薄膜的工序；向基板(S)照射由激励粒子原料气体生成的激励粒子、使硅主体的薄膜的硅结晶化的工序，使膜原料气体和激励粒子原料气体的至少一种气体包含用于形成硅半导体的杂质气体，通过这样在基板(S)上形成结晶性硅系列半导体薄膜。

公开(公告)号：CN1261203A

公开(公告)日：2000-07-26

申请号：CN99126970.5

申请日：1999-12-22

Applicant: 夏普株式会社 ,  日新电机株式会社

Inventor： 土本修平 ,  田仲広久 ,  绪方洁 ,  桐村浩哉

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C30B25/105 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明揭示一种结晶性硅系列半导体薄膜的制备方法,是在基板(S)上形成结晶性硅系列半导体薄膜,该方法包括在基板(S)附近至少形成包含硅系列气体的膜原料气体的等离子体(P)、并在基板(S)上形成硅主体的薄膜的工序;向基板(S)照射由激励粒子原料气体生成的激励粒子、使硅主体的薄膜的硅结晶化的工序,使膜原料气体和激励粒子原料气体的至少一种气体包含用于形成硅半导体的杂质气体,通过这样在基板(S)上形成结晶性硅系列半导体薄膜。

公开(公告)号：CN1235367A

公开(公告)日：1999-11-17

申请号：CN99101731.5

申请日：1999-01-29

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 桐村浩哉 ,  绪方洁

IPC: H01L21/00

CPC classification number: C30B25/105 ,  C23C16/24 ,  C23C16/402 ,  C23C16/54 ,  C30B29/06

Abstract: 一种成膜设备,包括用于在基片上形成结晶硅薄膜的形成硅薄膜的真空室;为该真空室而装备的成膜装置,以在所述基片的目标表面上形成结晶硅薄膜的预制膜;以及为该真空室而装备的能量束辐照装置,以便用能量束辐照所述预制膜使之结晶。该成膜设备制得的结晶硅薄膜作为TFT等的半导体薄膜具有良好的质量和良好的生产率。