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公开(公告)号：CN106488943A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201580037373.9
申请日：2015-07-10
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: C08G61/12 , C07C211/56 , H01L51/46 , H01L51/50 , H05B33/10
Abstract: 本发明提供含氟原子的聚合物及其利用。所述含氟原子的聚合物为可提供式(1)所示重复单元的含氟原子的三苯胺衍生物、与可提供式(2)所示重复单元的芴衍生物的缩聚物。(式中，A表示氟代烷烃二基；R1和R2的至少一方表示烷氧基、烯氧基、炔氧基、芳氧基、杂芳氧基和含有至少1个醚结构的烷基中的任一种；R3～R6表示规定的取代基；m1和m2彼此独立地表示0～4的整数；n1和n2表示0～3的整数。)
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公开(公告)号：CN105308729A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201480034764.0
申请日：2014-06-17
Applicant: 日产化学工业株式会社
Inventor： 大谷直树
IPC: H01L21/368 , B05D7/24 , B32B9/00 , C07H15/203 , H01L51/46
CPC classification number: C07H15/203 , C07H99/00 , H01L51/0047 , H01L51/4253 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供n型有机半导体薄膜的制造方法，其通过将含有式(1)所示的富勒烯衍生物的溶液在基材涂布、在450℃以上进行烧成来制造n型有机半导体薄膜，能够得到具有优选的电离电位，并且在成膜面具有微小的凹凸或细孔的n型有机半导体薄膜。(式中，R1～R5分别独立地表示氢原子、糖基、或糖基的任意羟基被取代基取代的糖基即取代糖基，R6表示碳原子数1～5的烷基。其中，R1～R5中至少1个为所述糖基或取代糖基)。
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公开(公告)号：CN101282959B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN200680037837.7
申请日：2006-07-11
Applicant: 日产化学工业株式会社
CPC classification number: C07D333/34 , C08G61/126 , H01L51/0036 , H01L51/5012 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 由通式[1]表示的具有磺酰基的噻吩化合物。它具有高的耐热性和高的氧化不敏感性并且可以改进在各种溶剂中的溶解性和可分散性。在该通式中，R1和R2各自独立地表示氢、卤素、氰基等；R3和R3′各自独立地表示C1-20烷基、C1-20卤代烷基、任选被W取代的苯基、任选被W取代的噻吩基等(W表示氯等)。
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公开(公告)号：CN101282959A
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200680037837.7
申请日：2006-07-11
Applicant: 日产化学工业株式会社
CPC classification number: C07D333/34 , C08G61/126 , H01L51/0036 , H01L51/5012 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 由通式[1]表示的具有磺酰基的噻吩化合物。它具有高的耐热性和高的氧化不敏感性并且可以改进在各种溶剂中的溶解性和可分散性。[在该通式中，R1和R2各自独立地表示氢、卤素、氰基等；R3和R3′各自独立地表示C1－20烷基、C1－20卤代烷基、任选被W取代的苯基、任选被W取代的噻吩基等(W表示氯等)。]
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公开(公告)号：CN105009318B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201480011062.0
申请日：2014-02-24
Applicant: 日产化学工业株式会社
Inventor： 大谷直树
CPC classification number: H01L51/0043 , C08G16/0225 , C08G16/0231 , C08G61/12 , C08G73/026 , C08G2261/12 , C08G2261/148 , C08G2261/3142 , C08G2261/3162 , C08G2261/3326 , C08G2261/46 , C08G2261/512 , C08G2261/95 , C09D161/00 , C09D165/00 , C09D179/02 , C09K11/06 , C09K2211/1014 , C09K2211/1416 , H01L51/0059 , H01L51/5056 , H01L51/5088 , H01L51/56 , C08L79/02
Abstract: 本发明提供电荷传输性清漆，其包含：含有氟原子的电荷传输性物质、不含氟原子的电荷传输性物质、含有杂多酸的掺杂剂物质、和有机溶剂，含有氟原子的电荷传输性物质是使三芳基胺化合物、含有氟原子的芳基醛化合物和具有羰基的芴衍生物缩合而得到的重均分子量1,000～200,000的聚合物，不含氟原子的电荷传输性物质为低聚苯胺化合物，该电荷传输性清漆给予如下薄膜：即使在阳极与发光层之间以与它们相接的方式作为单一层使用的情况下也能够实现具有优异的亮度特性和耐久性的有机EL元件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106463632A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580028737.7
申请日：2015-05-27
Applicant: 日产化学工业株式会社
Inventor： 大谷直树
IPC: H01L51/50 , C09D201/00 , H05B33/10
CPC classification number: H01L51/0058 , B05D1/005 , B05D1/02 , B05D1/18 , B05D1/28 , C08G73/0266 , C09D5/00 , C09D5/24 , C09D7/20 , C09D179/02 , H01B1/12 , H01L51/0005 , H01L51/0007 , H01L51/0026 , H01L51/0059 , H01L51/50 , H01L51/5088 , C08K5/42
Abstract: 本发明提供薄膜的平坦化方法、平坦化薄膜的形成方法、以及在这些方法中使用的薄膜形成用清漆。上述薄膜的平坦化方法包括在使用含有有机化合物和有机溶剂的薄膜形成用清漆来形成薄膜之时，使上述清漆的流动活化能为28kJ/mol以下。
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公开(公告)号：CN105612628A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201480054464.9
申请日：2014-09-26
Applicant: 日产化学工业株式会社
Inventor： 大谷直树
CPC classification number: H01L51/0035 , C08G12/26 , C08G73/026 , C09D5/24 , C09D161/26 , C09D179/02 , C09K11/06 , C09K2211/1029 , H01L51/001 , H01L51/5024 , H01L51/506 , H01L51/5088 , H01L51/5206 , H01L51/5221
Abstract: 电荷传输性清漆，其含有含氟原子的电荷传输性物质、不含氟原子的电荷传输性物质、包含杂多酸的掺杂剂物质、以及有机溶剂；其中，含氟原子的电荷传输性物质为由三芳基胺化合物、含氟原子的芳基醛化合物、具有羰基的芴衍生物、在N位上具有烷基或者含有醚结构的烷基的咔唑衍生物缩合而得到的、重均分子量1,000～200,000的聚合物；不含氟原子的电荷传输性物质为低聚苯胺化合物。由电荷传输性清漆制成的薄膜，即使在阳极与发光层之间以与它们相接触的状态作为单一层使用时，也能够实现具有优良的亮度特性和耐久性的有机EL元件。
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公开(公告)号：CN102027631A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200980114026.6
申请日：2009-03-19
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: H01M14/00 , C08G61/12 , C08L65/00 , C07D333/04
CPC classification number: H01M14/00 , C07D333/04 , C08G61/126 , H01L51/0036 , H01L51/0043 , H01L51/4226 , Y02E10/542 , Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了用于染料敏化太阳能电池的染料，其对多孔金属氧化物表现出高的亲和性和附着性，同时在有机溶剂中具有优异的溶解性。该用于染料敏化太阳能电池的染料含有式(1)表示的特定磷酰基噻吩化合物。还公开了使用用于该染料敏化太阳能电池的染料的染料敏化太阳能电池。
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公开(公告)号：CN108603110A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201780008337.9
申请日：2017-01-25
Applicant: 日产化学工业株式会社
CPC classification number: C09K11/65
Abstract: 本发明提供碳系发光材料的制造方法，所述碳系发光材料利用波长300～600nm的激发光发出波长550～700nm的光，所述制造方法包含如下工序：将包含抗坏血酸的原料、包含无机酸的酸催化剂和溶剂混合、加热。
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