光学薄膜的输送方法以及采用该方法的装置

    公开(公告)号:CN104150249B

    公开(公告)日:2017-12-12

    申请号:CN201410342540.8

    申请日:2008-08-19

    Abstract: 本发明提供光学薄膜的输送方法及采用该输送方法的装置。该光学薄膜的输送方法在输送带状的光学薄膜(F)的过程中将该光学薄膜(F)切断为规定长度的单片。之后,一边送出规定长度的光学薄膜(F),使得下一个切断部位到达切断作用位置,一边间歇地输送切断后的光学薄膜(F),并且,处于该间歇输送过程的行进方向前侧的光学薄膜(F)的后端在该间歇输送过程进行下一个间歇输送时已经经过该间歇输送过程而被送出到连续输送过程。此时,将切断后的光学薄膜(F)交接到与该间歇输送过程的下游侧连续的、连续输送光学薄膜(F)的连续输送过程。

    光学薄膜的输送方法以及采用该方法的装置

    公开(公告)号:CN104150249A

    公开(公告)日:2014-11-19

    申请号:CN201410342540.8

    申请日:2008-08-19

    Abstract: 本发明提供光学薄膜的输送方法及采用该输送方法的装置。该光学薄膜的输送方法在输送带状的光学薄膜(F)的过程中将该光学薄膜(F)切断为规定长度的单片。之后,一边送出规定长度的光学薄膜(F),使得下一个切断部位到达切断作用位置,一边间歇地输送切断后的光学薄膜(F),并且,处于该间歇输送过程的行进方向前侧的光学薄膜(F)的后端在该间歇输送过程进行下一个间歇输送时已经经过该间歇输送过程而被送出到连续输送过程。此时,将切断后的光学薄膜(F)交接到与该间歇输送过程的下游侧连续的、连续输送光学薄膜(F)的连续输送过程。

    等离子体CVD装置及膜的制造方法
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118715339A

    公开(公告)日:2024-09-27

    申请号:CN202380022149.7

    申请日:2023-01-19

    Abstract: 一种等离子体CVD装置(1),其具备一对成膜辊(2A、2B)、一对磁场产生部件(3A、3B)、一对位置调整部件(4A、4B)、以及气体供给部(5)。一对成膜辊(2A、2B)相互分离地对置配置。一对磁场产生部件(3A、3B)配置于一对成膜辊(2A、2B)各自的内部。一对磁场产生部件(3A、3B)使一对成膜辊(2A、2B)之间产生磁场。一对位置调整部件(4A、4B)分别调整一对磁场产生部件(3A、3B)的位置。气体供给部(5)向一对成膜辊(2A、2B)之间供给成膜气体。一对位置调整部件(4A、4B)构成为调整一对磁场产生部件(3A、3B)的位置,以使一磁场产生部件(3A、3B)和气体供给部之间的距离、与另一磁场产生部件(3A、3B)和气体供给部之间的距离相同。

    溅射装置
    10.
    发明公开
    溅射装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN118510938A

    公开(公告)日:2024-08-16

    申请号:CN202380016125.0

    申请日:2023-03-07

    Abstract: 溅射装置(1)一边将基材(21)以卷对卷方式输送,一边通过溅射在厚度方向上的基材(21)的一个面使导电膜(22)成膜。溅射装置(1)具备:成膜辊(6)、卷取辊(5)以及下游侧引导辊部(8)。下游侧引导辊部(8)配置于输送方向上的成膜辊(6)与卷取辊(5)之间。下游侧引导辊部(8)将导电性片(20)导向卷取辊(5)。下游侧引导辊部(8)包括导电性的第一引导辊(81)和第一电阻部(811)。第一引导辊(81)能最先与导电膜(22)接触。第一引导辊(81)与接地部(9)连接。第一电阻部(811)配置于第一引导辊(81)与接地部(9)之间。

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