透明导电性膜的制造方法

    公开(公告)号:CN102543301B

    公开(公告)日:2013-08-28

    申请号:CN201110346352.9

    申请日:2011-11-04

    Abstract: 本发明提供能缩短结晶化时间的透明导电性膜的制造方法。其为在透明的膜基材的至少一面具有透明导电层的透明导电性膜的制造方法,其具有如下所述的形成铟系复合氧化物的非晶质层的工序(A)和工序(B),所述工序(A)包含在所述透明的膜基材上依次实施通过溅射堆积以4价金属元素的氧化物的比例为3~35重量%的铟系复合氧化物的工序(A1)和通过溅射堆积氧化铟或所述4价金属元素的氧化物的比例超过0且为6重量%以下、且所述4价金属元素的氧化物的比例比工序(A1)中使用的铟系复合氧化物小的铟系复合氧化物工序(A2),所述工序(B)通过加热所述非晶质层使其结晶化,形成铟系复合氧化物的结晶质的透明导电层。

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