公开(公告)号：CN101274989A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200710089720.X

申请日：2007-03-27

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 中村正雄 ,  上林政博 ,  太田义夫

IPC: C08J5/18 ,  C08L79/08 ,  G03G15/16 ,  G03G15/00

Abstract: 本发明提供了一种半导体聚酰亚胺薄膜，具有在25℃和60％RH表面电阻率的常用对数为9至15logΩ/平方；体积电阻率的常用对数为8至15logΩ·cm；按照JIS K7118进行疲劳试验重复次数为107时，疲劳应力为160MPa或更大；和按照JIS P8115进行MIT测试的耐弯曲次数为2,000次或更大，以及使用该半导体聚酰亚胺薄膜的中间传输带和输送带。

公开(公告)号：CN101274989B

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN200710089720.X

申请日：2007-03-27

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 中村正雄 ,  上林政博 ,  太田义夫

IPC: C08J5/18 ,  C08L79/08 ,  G03G15/16 ,  G03G15/00

Abstract: 本发明提供了一种半导体聚酰亚胺薄膜，具有在25℃和60％RH表面电阻率的常用对数为9至15logΩ/平方；体积电阻率的常用对数为8至15logΩ·cm；按照JIS K7118进行疲劳试验重复次数为107时，疲劳应力为160MPa或更大；和按照JIS P8115进行MIT测试的耐弯曲次数为2,000次或更大，以及使用该半导体聚酰亚胺薄膜的中间传输带和输送带。