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公开(公告)号：CN119023209A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202410858060.0
申请日：2024-06-28
Applicant: 无锡学院
Abstract: 本发明公开了一种测量辐射标定因子的实验方法和装置及其应用，本装置包括半导体发光结构和制冷装置；所述半导体发光结构上部设有第一泵浦区域和第二泵浦区域，所述第一泵浦区域和第二泵浦区域上部设有使所述半导体发光结构发光的泵浦能源；所述半导体发光结构靠近第一泵浦区域的一侧设置有透镜组件和光谱仪。本发明装置通过分别向半导体发光结构的第一泵浦区域、以及第一泵浦区域和第二泵浦区域同时施加能量，通过光谱仪收集测量不同温度下的光谱数据，并代入辐射标定因子的推导公式计算出辐射标定因子；本装置结构简单，辐射标定因子获取更直观、准确性高；本方法简单，不需要对半导体发光结构端面镀膜；无需对端面的光谱分别进行测量，准确度高。
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