公开(公告)号：CN102931089B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201110228658.4

申请日：2011-08-10

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 韩广涛 ,  孙贵鹏 ,  林峰 ,  马春霞 ,  黄枫 ,  任刚

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/3105 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明实施例公开了一种LDMOS器件及其制造方法。所述LDMOS器件制造方法包括：提供基底；在所述基底上依次形成第一氧化硅层和第一氮化硅层；在所述基底上形成漂移区场氧化层；去除所述第一氮化硅层和第一氧化硅层；在所述基底上依次形成第二氧化硅层和第二氮化硅层；采用沟槽隔离工艺在所述基底上形成隔离区氧化层。本发明所提供的LDMOS器件制造方法，不仅可实现与0.18μm的工艺兼容，而且还能提高LDMOS器件耐压的均匀性。

公开(公告)号：CN103117251A

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN201110363052.1

申请日：2011-11-16

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 吴孝嘉 ,  林峰 ,  陈正培 ,  钟海钰

IPC: H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823814 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/823892 ,  H01L27/0928

Abstract: 本发明提供一种CMOS场效应管的制备方法，属于半导体制造技术领域。所述方法包括步骤：提供形成于CMOS栅介质层上的并用于形成CMOS的栅端的多晶硅层的晶片；通过第一光刻胶掩膜刻蚀所述多晶硅层形成CMOS的NMOS/PMOS的栅端、并以该第一光刻胶掩膜构图掺杂形成CMOS的NMOS/PMOS的源端和漏端；通过第二光刻胶掩膜刻蚀所述多晶硅层形成CMOS的PMOS/NMOS的栅端、并以该第二光刻胶掩膜构图掺杂形成CMOS的PMOS/NMOS的源端和漏端。该方法可以省去一个光刻步骤以及相应的光刻版，工艺过程相对简单，成本更低，并缩短了工艺时间，提高了生产效率。

公开(公告)号：CN102931089A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201110228658.4

申请日：2011-08-10

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 韩广涛 ,  孙贵鹏 ,  林峰 ,  马春霞 ,  黄枫 ,  任刚

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/3105 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明实施例公开了一种LDMOS器件及其制造方法。所述LDMOS器件制造方法包括：提供基底；在所述基底上依次形成第一氧化硅层和第一氮化硅层；在所述基底上形成漂移区场氧化层；去除所述第一氮化硅层和第一氧化硅层；在所述基底上依次形成第二氧化硅层和第二氮化硅层；采用沟槽隔离工艺在所述基底上形成隔离区氧化层。本发明所提供的LDMOS器件制造方法，不仅可实现与0.18μm的工艺兼容，而且还能提高LDMOS器件耐压的均匀性。

公开(公告)号：CN106158957A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201510169433.4

申请日：2015-04-10

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 黄枫 ,  韩广涛 ,  孙贵鹏 ,  林峰 ,  赵龙杰 ,  林华堂 ,  赵兵

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/0649 ,  H01L21/76229 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7816

Abstract: 本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体场效应管及其制造方法，所述方法包括：提供形成有第一N阱、第一P阱以及浅槽隔离结构的晶圆；在晶圆表面淀积形成高温氧化膜；对高温氧化膜进行光刻和干法刻蚀，并留下一薄层作为刻蚀缓冲层；进行湿法腐蚀，将未被光刻胶覆盖区域的刻蚀缓冲层去除，形成迷你氧化层；进行光刻和离子注入在第一N阱内形成第二N阱，以及在第一P阱内形成第二P阱；在所述晶圆表面形成多晶硅栅和栅氧层；光刻并注入N型离子，形成漏极和源极。本发明通过在STI结构LDMOS的沟道区靠近漂移区一侧增加一块迷你氧化层，可以在不增加LDMOS面积的情况下，大幅度地提高LDMOS的off-BV。

公开(公告)号：CN105810583A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201410849111.X

申请日：2014-12-30

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 黄枫 ,  韩广涛 ,  孙贵鹏 ,  林峰 ,  赵龙杰 ,  林华堂 ,  赵兵 ,  刘理想 ,  平梁良 ,  陈凤英

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L29/66325 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/31116 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/408 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及一种横向绝缘栅双极型晶体管的制造方法，包括：提供形成有N型埋层、STI、第一N阱以及第一P阱的晶圆；在晶圆表面淀积形成高温氧化膜；进行热推阱并对高温氧化膜进行光刻和刻蚀，形成迷你氧化层；在第一N阱内形成第二N阱，以及在所述第一N阱和第一P阱内形成第二P阱；在晶圆表面形成栅氧化层和多晶硅栅；光刻并注入N型离子，在第二N阱内、迷你氧化层和与迷你氧化层相邻的STI间形成漏极，同时在第二P阱内形成源极。本发明利用应力较小的HTO来做降低LDMOS表面电场的mini-oxide，有源区边缘不会产生dislocation。通过推阱步骤使得HTO变致密，极大地降低了HTO的湿法腐蚀速率，保证了mini-oxide在后续清洗过程中腐蚀量可得到稳定控制，可用于批量生产。

公开(公告)号：CN102569075A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201010589182.2

申请日：2010-12-15

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 ,  无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 韩广涛 ,  孙贵鹏 ,  林峰 ,  马春霞 ,  黄枫

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L21/76224 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835

Abstract: 本发明实施例公开了一种LDMOS器件及其制造方法。所述方法包括：提供基底，所述基底包括本体层、外延层及位于外延层中的深阱区；在所述外延层上依次形成隔离介质层及硬掩膜层；采用具有漂移区图案的掩膜版在所述外延层中的深阱区内形成浅沟槽；在所述浅沟槽内形成浅沟槽介质层。本发明所提供的LDMOS器件制造方法，能够生产出关键尺寸为0.18μm或0.18μm以下的器件；且在后续进行CMP工艺时，可以实现基底表面的全局平坦化，减小了工艺缺陷的发生。

公开(公告)号：CN106033726A

公开(公告)日：2016-10-19

申请号：CN201510104438.9

申请日：2015-03-10

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 王蛟 ,  黄枫 ,  赵龙杰 ,  林峰 ,  韩广涛 ,  孙贵鹏

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/266

CPC classification number: H01L21/266 ,  H01L29/66568 ,  H01L29/1033

Abstract: 一种场效应晶体管的制作方法，多晶硅层形成后，光刻和刻蚀多晶硅层以形成源端区域，然后保留光刻胶，与衬底结构表面呈70°～80°的注入角度进行杂质注入。因为杂质注入有一定的注入角度，源端区域边缘的多晶硅层和栅氧化层有一部份区域会被杂质注入射穿，并注入到衬底结构内部，由此可以形成一个稳定的、极小的沟道。从而，在不增加光刻版以及不降低BV的情况下，极大的减小沟道长度，使得Rdson比传统制造技术的Rdson大大降低。

公开(公告)号：CN105336689A

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201410298952.6

申请日：2014-06-26

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 韩广涛 ,  孙贵鹏 ,  林峰

IPC: H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/8238

Abstract: 本发明涉及一种节省光刻版数量的金属氧化物半导体场器件制造方法，包括下列步骤：在衬底上形成N阱、P阱、隔离结构及栅氧化层，并淀积多晶硅；采用第一光刻版光刻并刻蚀，形成NMOS的多晶硅栅极；去胶后进行轻掺杂漏极离子注入，在所述P阱内形成N型第一掺杂区；在所述NMOS的多晶硅栅极两侧形成侧墙；进行N型重掺杂离子注入，在所述P阱内形成N型第二掺杂区；采用第二光刻版光刻并刻蚀，形成PMOS的多晶硅栅极；在光刻胶的掩蔽下进行P型重掺杂离子注入，在所述N阱内形成P型掺杂区。本发明相对于传统技术省掉了NLDD注入及NSD注入的光刻版，从而大大降低了成本。

公开(公告)号：CN102569075B

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201010589182.2

申请日：2010-12-15

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 ,  无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 韩广涛 ,  孙贵鹏 ,  林峰 ,  马春霞 ,  黄枫

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L21/76224 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835

Abstract: 本发明实施例公开了一种LDMOS器件及其制造方法。所述方法包括：提供基底，所述基底包括本体层、外延层及位于外延层中的深阱区；在所述外延层上依次形成隔离介质层及硬掩膜层；采用具有漂移区图案的掩膜版在所述外延层中的深阱区内形成浅沟槽；在所述浅沟槽内形成浅沟槽介质层。本发明所提供的LDMOS器件制造方法，能够生产出关键尺寸为0.18μm或0.18μm以下的器件；且在后续进行CMP工艺时，可以实现基底表面的全局平坦化，减小了工艺缺陷的发生。

公开(公告)号：CN102931063A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201110228673.9

申请日：2011-08-10

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 林峰 ,  马春霞 ,  李春旭

IPC: H01L21/28

Abstract: 本实施例公开了一种双栅介质层的制作方法，包括：提供基底，所述基底包括本体层和位于所述本体层表面内的隔离沟槽STI，所述隔离沟槽将高压器件区和低压器件区隔离开；在所述基底表面上形成保护层；去除位于所述高压器件区的保护层材料，暴露出位于所述高压器件区的基底材料；在所述高压器件区的基底表面上形成高压器件的栅介质层；去除位于所述低压器件区的保护层材料，暴露出位于所述低压器件区的基底材料；在所述低压器件区的基底表面上形成低压器件的栅介质层。本发明实施例避免了较厚的栅介质层形成过程中对低压器件区的不良影响，提高了低压工艺平台对高压工艺的兼容度，保证了在工艺集成过程中原有工艺平台的稳定性。