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公开(公告)号：CN102675332A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210055465.8
申请日：2012-03-05
Applicant: 施乐公司
IPC: C07D493/06 , C07D495/22 , C09D125/04 , C09D7/12 , H01L51/30
CPC classification number: C07D493/06 , C07D495/22 , C08K5/1545 , C08K5/45 , H01L51/0068 , H01L51/0071 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , C08L25/04
Abstract: 本发明为一种小分子半导体及包含其的半导体组合物和电子设备，一种式(I)的小分子半导体：其中R1、R2、R3和R4独立地选自氢原子、被取代的或未取代的烷基、被取代的或未取代的烯基、被取代的或未取代的炔基、被取代的或未取代的芳基、被取代的或未取代的杂芳基、烷氧基、烷硫基、烷基甲硅烷基、氰基和卤素原子，其中n为1或2，并且其中X独立地为S或
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公开(公告)号：CN102487125A
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN201110392847.5
申请日：2011-12-01
Applicant: 施乐公司
CPC classification number: H01L51/052 , H01L51/0036 , H01L51/0097 , H01L51/0537 , H01L51/0541 , H01L51/0545
Abstract: 一种电子器件，例如薄膜晶体管，包括衬底和由介电组合物形成的介电层。所述介电组合物包括介电材料和低表面张力添加剂。该低表面张力添加剂使得形成具有更少针孔和更高器件成品率的薄的平滑介电层。在具体实施方案中，所述介电材料包括k较低的介电材料和k较高的介电材料。当沉积时，k较低的介电材料和k较高的介电材料形成分离相。
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公开(公告)号：CN102127210A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201110022626.9
申请日：2011-01-18
Applicant: 施乐公司
IPC: C08G61/12 , C07D495/04 , H01L51/00 , H01L51/30 , H01L51/46
CPC classification number: H01L51/0036 , C08G61/123 , C08G61/126 , C08G2261/3243 , C08G2261/3246 , C08G2261/411 , C08G2261/91 , H01L51/0545 , Y02E10/549
Abstract: 一种包含一种聚噻吩和至少一种提供二价连接基的化合物的聚合物半导体，所述聚噻吩的Mn为约1,000至约400,000道尔顿且衍生自式(1)的苯并二噻吩单体片段，所述提供二价连接基的化合物选自芳香族或杂芳族电子受体化合物X和芳香族或杂芳族化合物Y，其中R1和R2为独立地选自氢原子、烃基、杂原子及其结合的侧链。
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公开(公告)号：CN102487125B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201110392847.5
申请日：2011-12-01
Applicant: 施乐公司
CPC classification number: H01L51/052 , H01L51/0036 , H01L51/0097 , H01L51/0537 , H01L51/0541 , H01L51/0545
Abstract: 一种电子器件，例如薄膜晶体管，包括衬底和由介电组合物形成的介电层。所述介电组合物包括介电材料和低表面张力添加剂。该低表面张力添加剂使得形成具有更少针孔和更高器件成品率的薄的平滑介电层。在具体实施方案中，所述介电材料包括k较低的介电材料和k较高的介电材料。当沉积时，k较低的介电材料和k较高的介电材料形成分离相。
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公开(公告)号：CN102087892A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN201010581986.8
申请日：2010-12-03
Applicant: 施乐公司
CPC classification number: H01B1/22 , B22F1/0022 , B22F1/0074 , B82Y30/00 , H05K1/095 , H05K1/097 , H05K2201/0224 , H05K2203/122
Abstract: 一种在衬底上形成导电部件的方法，所述方法包括使一种金属化合物与一种还原剂在一种稳定剂的存在下在包含所述金属化合物、所述还原剂和所述稳定剂的反应混合物中反应——其中所述反应混合物基本无溶剂——以形成表面上带有所述稳定剂分子的多个金属纳米颗粒。在分离出所述多个金属纳米颗粒之后，将一种包含聚合物粘合剂、液体和表面上带有所述稳定剂的分子的多个金属纳米颗粒的液体组合物通过液相沉积技术沉积在衬底上以形成沉积组合物。然后加热所述沉积组合物以在所述衬底上形成导电部件。
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公开(公告)号：CN103044445B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201210392746.2
申请日：2012-10-16
Applicant: 施乐公司
Inventor： 吴贻良 , A·维格勒斯沃斯 , 其他发明人请求不公开姓名
IPC: C07D495/14 , H01L51/30
CPC classification number: H01L51/0074 , C07D495/14 , H01L51/0545
Abstract: 本发明涉及非对称二苯并二噻吩并噻吩化合物。具体而言，本文公开了一种式（I）的不对称半导体化合物，其中R1和R2如本文所述。该化合物可用于电子器件（例如薄膜晶体管）的半导体层。包括该化合物的器件显示出高的迁移率和优异的稳定性。
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公开(公告)号：CN103076379A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201210371474.8
申请日：2012-09-28
Applicant: 施乐公司
IPC: G01N27/414 , H01L51/05
CPC classification number: G01N27/4146 , B82Y10/00 , H01L51/0036 , H01L51/0048 , H01L51/0558 , Y10T436/147777 , Y10T436/17
Abstract: 公开了化学传感器。所述化学传感器在一些具体实施方案中是包括第一晶体管和第二晶体管的电子器件。所述第一晶体管包括由第一半导体和碳纳米管制成的半导体层。所述第二晶体管包括由第二半导体制成并且不含有碳纳米管的半导体层。两个晶体管对于化学物质的响应不同，并且不同的响应可用于确定某些化学物质的特征。所述化学传感器可用作爆炸性化合物如三硝基甲苯（TNT）的一次性传感器。所述电子器件与加工由电子器件产生的信息的分析仪结合使用。
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公开(公告)号：CN102896324A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210268619.1
申请日：2012-07-30
Applicant: 施乐公司
IPC: B22F9/24
CPC classification number: C09D11/52 , B22F1/0022 , B22F9/24 , C09D5/24 , H05K1/097
Abstract: 一种制备银纳米颗粒的方法，其包括：得到一种第一混合物，该混合物包括一种银盐、一种有机胺、第一有机溶剂和第二有机溶剂；将第一混合物与一种还原剂溶液反应以生成用有机胺稳定的银纳米颗粒。第一溶剂的极性指数小于3.0，并且第二溶剂的极性指数高于3.0。纳米颗粒在第一溶剂中更容易分散或溶解。
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公开(公告)号：CN102087892B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201010581986.8
申请日：2010-12-03
Applicant: 施乐公司
CPC classification number: H01B1/22 , B22F1/0022 , B22F1/0074 , B82Y30/00 , H05K1/095 , H05K1/097 , H05K2201/0224 , H05K2203/122
Abstract: 一种在衬底上形成导电部件的方法，所述方法包括使一种金属化合物与一种还原剂在一种稳定剂的存在下在包含所述金属化合物、所述还原剂和所述稳定剂的反应混合物中反应——其中所述反应混合物基本无溶剂——以形成表面上带有所述稳定剂分子的多个金属纳米颗粒。在分离出所述多个金属纳米颗粒之后，将一种包含聚合物粘合剂、液体和表面上带有所述稳定剂的分子的多个金属纳米颗粒的液体组合物通过液相沉积技术沉积在衬底上以形成沉积组合物。然后加热所述沉积组合物以在所述衬底上形成导电部件。
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公开(公告)号：CN103044445A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201210392746.2
申请日：2012-10-16
Applicant: 施乐公司
Inventor： 吴贻良 , A·维格勒斯沃斯 , 其他发明人请求不公开姓名
IPC: C07D495/14 , H01L51/30
CPC classification number: H01L51/0074 , C07D495/14 , H01L51/0545
Abstract: 本发明涉及非对称二苯并二噻吩并噻吩化合物。具体而言，本文公开了一种式（I）的不对称半导体化合物，其中R1和R2如说明书所述。该化合物可用于电子器件（例如薄膜晶体管）的半导体层。包括该化合物的器件显示出高的迁移率和优异的稳定性。
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