公开(公告)号：CN102633296B

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201210135280.8

申请日：2012-05-04

Applicant: 新疆大学

Inventor： 宿新泰 ,  葛建华 ,  杨超 ,  李怡招 ,  王吉德

IPC: C01G13/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供了一种由含汞废水制备硫化汞（HgS）量子点的方法。主要是通过相转移法，使Hg2+与有机络合剂反应形成汞的有机配合物，将水相中的Hg2+转移到油相中；再引入硫源，分别通过混合溶剂热法、低温搅拌法、高温活化法使汞的有机配合物和硫源结合生成HgS半导体量子点。该发明不仅实现了对含汞废水的有效处理，可使其达到国家排放标准（汞含量小于0.05mg/L）,而且合成了具有更高应用价值的HgS半导体量子点，一举两得，达到了变废为宝的效果。此外该方法所需的药品对环境危害小，价格便宜，降低了处理成本，尤其适用于高浓度含汞废水的处理。

公开(公告)号：CN102633296A

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN201210135280.8

申请日：2012-05-04

Applicant: 新疆大学

Inventor： 宿新泰 ,  葛建华 ,  杨超 ,  李怡招 ,  王吉德

IPC: C01G13/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供了一种由含汞废水制备硫化汞（HgS）量子点的方法。主要是通过相转移法，使Hg2+与有机络合剂反应形成汞的有机配合物，将水相中的Hg2+转移到油相中；再引入硫源，分别通过混合溶剂热法、低温搅拌法、高温活化法使汞的有机配合物和硫源结合生成HgS半导体量子点。该发明不仅实现了对含汞废水的有效处理，可使其达到国家排放标准（汞含量小于0.05mg/L）,而且合成了具有更高应用价值的HgS半导体量子点，一举两得，达到了变废为宝的效果。此外该方法所需的药品对环境危害小，价格便宜，降低了处理成本，尤其适用于高浓度含汞废水的处理。