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公开(公告)号：CN104894531A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510172966.8
申请日：2015-04-14
Applicant: 新疆大学
Abstract: 本发明公开了一种制备稀土元素Sm掺杂GaN纳米线的制备方法：本方法为化学气相沉积法制备稀土元素Sm掺杂GaN纳米线，反应系统主要有真空系统、气路系统和水平管式炉三部分组成，高纯Ga2O3粉、高纯Sm2O3、NH3分别作为Ga源、Sm源和N源，称取一定比例的Ga2O3和Sm2O3粉体，研磨均匀混合后盛放到陶瓷舟中，一并置于炉管中央，同时下游低温区放置Si衬底，密封，将系统压强抽至1×10-3Pa，通入Ar，加热至1100℃时，改通NH3，保温2小时，将NH3转换为Ar，冷却至室温，取出Si衬底封存。
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